发明名称 |
HEAT TREATMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS UNIT |
摘要 |
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申请公布号 |
JPS5475985(A) |
申请公布日期 |
1979.06.18 |
申请号 |
JP19770143455 |
申请日期 |
1977.11.29 |
申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
NAKASHIMA TATSUNORI;KAJIWARA KOUSEI;OGAWA KUNI;YASUNO KOUSUKE |
分类号 |
H01L21/673;H01L21/22;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/673 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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