| 摘要 |
본 발명은 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 특성이 우수한 박막 트랜지스터를 구비한 반도체 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 채널 형성 영역에 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 저항값이 낮은 금속 재료로 이루어지는 배선층과의 콘택트 저항을 저감하기 위하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 상기 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층과의 사이에 소스 영역 또는 드레인 영역을 형성한다. 소스 영역 또는 드레인 영역, 및 화소 영역은 동일층의 SiOx를 포함하지 않는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용한다. |
