| 摘要 |
구성 부재로서 기판과 소자와 밀봉재를 포함하는 반도체 발광 장치의 제조 방법이며, 기판에 소자를 설치하는 제1 공정과, 경화 전의 밀봉재를, 소자를 덮도록 기판 위에 포팅하는 제2 공정과, 포팅된 밀봉재를, 경화 후의 두께 t[㎜]의 밀봉재가 갖는 380㎚, 316㎚ 및 260㎚의 각 파장에 있어서의 흡광도를 각각 Abs(t), Abs(t) 및 Abs(t)로 하고, 380㎚에 있어서의 광의 투과율을 T(t)로 한 경우, 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 모두 만족시키도록 경화시키는 제3 공정을 포함하는 제조 방법이다. (1) T(1.7)≥90% (2) Abs(t)-Abs(t)<0.011t (3) Abs(t)-Abs(t)<0.125t |
