| 主权项 |
1﹒制造一种装置之方法,其中在制造之某一阶段时,一电绝缘层形成于一基质上,该基质载有突出于基质表面上方之一金属图型;该方法包含用电解沉积使金属图型成形于该基质上,以及用喷镀沉积产生一电绝缘层之步骤;该方法之特点为:在喷镀沉积处理之第一阶段时,同时实施喷镀一蚀刻步骤,该步骤之进行速率乃为可除去喷镀于金属图型边缘上之电绝缘材料及在该金属图型边缘及侧面处之电解沉积金属,俾产生对基质表面为倾斜之金属图型之该侧面,但该喷镀一蚀刻之速率恰为不足以完全去除喷镀于实质上平行于该基质表面之金属图型表面上之电绝缘材料,然后终止该喷镀一蚀刻步骤;并在喷镀沉积处理之第二阶段时,继续进行电绝缘层之喷镀,直至该层具有所要之厚度为止者。2﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中互相连接之孔系用化学蚀刻法形成于电绝缘层中者,其特点为各互相连接孔系至少如同金属图型之下面部份一样宽及一个互相连接孔系形成于该金属图型之至少两个并列组成部份之上方者。3﹒根据上述请求专利部份第1或2项之方法,其特点为在喷镀处理的第一阶段时,该基质加有一负偏压,此电压为在喷镀电极上电压之35至45%者。4﹒根据上述请求专利部份第1,第2或第3项之方法,其特点为在金属图型之侧面及基质表面间获得具有30至50度角度之一倾斜坡度时,喷镀一蚀刻即行停止。 |
