2 TWO DIMENSIONAL NITRIDE SEMICONDUCTOR BASED DEEP ULTRAVIOLET LIGHT EMITTERS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

본 발명은 2차원 구조의 질화물 반도체를 이용한 심자외선 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 2차원 구조의 질화물 반도체를 이용한 심자외선 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에 복수로 분열되어 배치된 게이트 전극; 상기 기판 및 상기 게이트 전극 상에 적층된 절연층; 상기 절연층 상에 적층되고, 2차원 구조의 질화물 반도체를 포함하며, n도핑 영역, p도핑 영역 및 상기 n도핑 영역과 상기 p도핑 영역의 접합 부분에 형성된 발광 영역으로 구분되는 발광층; 상기 n도핑 영역 상에 배치된 드레인 전극; 및 상기 p도핑 영역 상에 배치된 소스 전극을 포함한다.