| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche (11) d'un substrat monocristallin, dit substrat donneur (1), sur un substrat receveur (2), comprenant : - la fourniture dudit substrat donneur monocristallin (1), ledit substrat présentant une encoche orientée selon une première direction du cristal et une zone de fragilisation (10) délimitant la couche (11) à transférer, - le collage du substrat donneur monocristallin (1) sur le substrat receveur (2), la surface principale (12) du substrat donneur opposée à la zone de fragilisation (10) par rapport à la couche à transférer (11) étant à l'interface de collage, - le détachement du substrat donneur (1) le long de la zone de fragilisation (10), ledit procédé étant caractérisé en ce que le substrat donneur (1) présente, sur la surface principale (12) collée sur le substrat receveur (2), un réseau de marches atomiques s'étendant essentiellement dans une seconde direction du cristal différente de ladite première direction. |
