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发明名称
METHOD OF FABRICATING ISOLATION OF AND CONTACT TO BURRIED LAYERS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES
摘要
申请公布号
EP0004298(B1)
申请公布日期
1982.05.12
申请号
EP19790100608
申请日期
1979.03.02
申请人
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED
发明人
MURPHY, BERNARD THOMAS;NORTH, JAMES CLAYTON
分类号
H01L21/76;H01L21/74;H01L21/762;(IPC1-7):01L21/76;01L21/74;01L29/06
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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