发明名称 依感光物质的倒易律偏差以控制曝光时间的方法
摘要
申请公布号 TW044488 申请公布日期 1982.06.16
申请号 TW07011766 申请日期 1981.06.16
申请人 大日本幕板制造株式会社 发明人 米原广行;高木恒雄
分类号 G03B7/87 主分类号 G03B7/87
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1﹒一种依感光物质之倒易律偏差控制曝光时间的方法,使用在一相片复制机器中,当感光物质适用倒易建时,因照相条件改变而致之曝光时间变化可做操作方程式校正,新颖处包括一校正感光物质倒易律偏差之设定校正因数插入方程式中,俾决定一经校正倒、易律偏差的适当曝光时间。2﹒一种如请求专利部份第一项所界定的方法,其中操作方程式包括一复制比例项,一光圈开口尺寸项以及一密度値项。3﹒一种如请求专利部份第二项所界定的方法,其中一校正由于复制比例变化所致之倒易律偏差之校正因数n1插入操作方程式中使复制比例项增至n1th次方。4﹒一种如请求专利部份第二项所界定的方法,其中一校正由于光圈开口尺寸 变化所致之倒易律偏差之校正因数n2插入操作方程式中使光圈开口尺寸项增至n2th次方。5﹒一种如请求专利部份第五项所界定的方法,其中一校正由于密度値变化所﹒致之倒易律偏差的校正因数n1插入操作方程式中使密度値增至n3th次方。6﹒一种如请求专利部份第二项所界定的方法,其中该校正因数n1和n2分别插入操作方程式使复制比例项和光圈开口尺寸项增至n1th和n2th次方。﹒7﹒一种如请求专利部份第二项所界定的方法,其中该校正因数n2和n3分别插入操作方程式中使光圈开口尺寸项和密度値项增至n2th和n3th次方。8﹒一种如请求专利部份第二项所界定的方法,其中该校正因数n3和n2分别插入操作方程式中使密度値项和复制比例项增至n3th和n1th次方。9﹒一种如请求专利部份第二项所界定的方法,其中该校正因数n1.n2和n3分别插入操作方程式中使复制比例项,光圈开口尺寸项及密度値项增至n1th,n2th和n3th次方。10﹒一种如请求专利部份第一、二、三、'四、五、六、七、八、或九所界定的方法,其中每一种感光物质之校正因数均储存在一记忆器中。11﹒一种如请求专利部份第一、二、三、六、八、九成十所界定的方法,其中依各种感光物质和可替换翁焦透镜而定所得之校正因数系被储存在记忆器中。12﹒一种如请求专利部份第一、二、三、四、五、六、七、八或九所界定的方法,其中依操作方程式所得之理论値需乘以根据校正因数所得之校正系数。
地址 日本国东京都上京区堀川通寺之内上4丁目天神北町1番地之1