Process for the manufacture of field-effect transistors with selfaligned gate electrode, and transistors made by this process.

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication de transistors à effet de champ, à grille (8) auto-alignée submicronique, sans masque submicronique. L'invention est remarquable en ce qu'il consiste à sousgraver l'électrode de drain (4), précédemment recouverte de laque (5) sur une distance typiquement inférieure au micron, a déposer l'électrode de source (6), à graver le matériau semiconducteur (2) et a déposer dans la cavité ainsi formé l'électrode de grille (8). L'invention concerne également les transistors à effet de champ ainsi obtenus. Application: transistors à effet de champ