发明名称 |
METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT |
摘要 |
실시예는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법에 있어서, 성장 중인 잉곳과 실리콘 용융액의 계면이 수평면으로부터 아래로 1 밀리미터 내지 5 밀리미터로 형성되고, 성장되는 잉곳의 BMD 사이즈(size)가 55 나노미터 내지 65 나노미터인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법을 제공한다. |
申请公布号 |
KR20160119480(A) |
申请公布日期 |
2016.10.14 |
申请号 |
KR20150048187 |
申请日期 |
2015.04.06 |
申请人 |
LG SILTRON INCORPORATED |
发明人 |
KIM, SANG HEE;JUNG, YOUNG HO |
分类号 |
H01L21/02 |
主分类号 |
H01L21/02 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|