发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要 메모리 장치가 개시된다. 메모리 장치는, 다수의 뱅크를 포함하는 코어 영역, 지연 제어신호의 활성화시에 리드 신호 또는 라이트 신호를 지연시켜 지연된 커맨드 신호를 출력하는 커맨드 타이밍 제어부, 상기 지연 제어신호의 활성화시에 뱅크 어드레스를 지연시켜 지연된 뱅크 어드레스를 출력하는 뱅크 어드레스 타이밍 제어부, 상기 지연된 뱅크 어드레스를 디코딩하여 상기 다수의 뱅크 중 하나의 뱅크를 선택하기 위한 뱅크 선택 신호를 생성하는 뱅크 선택부, 상기 지연된 커맨드 신호를 상기 뱅크 선택 신호에 의해 선택된 뱅크의 컬럼 선택 신호로 전달하는 컬럼 선택 신호 전달부, 상기 지연 제어신호의 활성화시에 상기 리드 신호 또는 상기 라이트 신호를 지연시켜 지연된 리드 신호 또는 지연된 라이트 신호를 출력하는 컬럼 어드레스 타이밍 제어부 및 상기 지연된 리드 신호 또는 상기 지연된 라이트 신호에 응답하여 컬럼 어드레스를 상기 다수의 뱅크로 전달하는 컬럼 어드레스 전달부를 포함한다.
申请公布号 KR101672978(B1) 申请公布日期 2016.11.07
申请号 KR20100083854 申请日期 2010.08.30
申请人 에스케이하이닉스 주식회사 发明人 이상희;황정태
分类号 G11C7/22;G11C8/04;G11C8/10;G11C8/12;G11C8/18;G11C11/408 主分类号 G11C7/22
代理机构 代理人
主权项
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