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摘要 PURPOSE:To provide a N-channel non-volatile semiconductor memory having a high write-in speed by adding a P-type diffused region of high impurity concentration to a drain N-type diffused region in a partial contact relationship.
申请公布号 JPS586237(B2) 申请公布日期 1983.02.03
申请号 JP19750071763 申请日期 1975.06.13
申请人 NIPPON ELECTRIC CO 发明人 KIKUCHI MASANORI
分类号 H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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