| 摘要 |
반도체 장치 및 반도체 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 CMOS 또는 CMOS 기반 처리 단계를 부분적으로 사용하여 만들어지며, 상기 반도체 장치는 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상의 유전체 영역, 상기 유전체 영역 내의 히터, 상기 유전체 영역 위의 귀금속으로 패터닝된 레이어를 포함한다. 상기 방법은 상기 유전체 영역 위에 포토레지스트 물질을 데포지션하는 단계, 상기 유전체 영역 위에 패터닝된 영역을 형성하도록 포토레지스트 물질을 패터닝하는 단계를 포함한다. 상기 포토레지스트 물질을 데포지션하는 단계 및 상기 포토레지스트 물질을 패터닝하는 단계는 CMOS 처리에서 사용되는 것에 대하여 유사한 포토리소그래피 및 에칭 단계를 사용하여 순차적으로 행해진다. 유전체 멤브레인 및 상기 멤브레인 내부의 금속 구조체가 유전체 영역 위의 패너닝된 영역에 형성되도록 하는 추가 처리 단계에 최종 반도체 장치가 놓여진다. |
