| 发明名称 |
METHOD OF FORMING ADJACENT IMPURITY REGIONS OF DIFFERENT DOPING IN A SILICON SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0006510(B1) |
申请公布日期 |
1983.04.13 |
| 申请号 |
EP19790101845 |
申请日期 |
1979.06.11 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
GOTH, GEORGE RICHARD |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/033;H01L21/22;H01L21/225;H01L21/266;H01L21/316;H01L21/331;H01L21/76;H01L29/88;(IPC1-7):01L21/18;01L29/08;01L21/316 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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