| 主权项 |
1.制造创新光电伏打装置之方法,每一光电伏打装置含有:(a)一共用导电基质层;(b)沉积于此基质层上之一半导体本体;及(c)沉积于此半导体本体顶上之一透明导电层;此种方法所包含之步骤为:将半导体本体分成多个部份,每一部分均与其他部分真正隔离;试验半导体本体之每一隔离部分之电气输出;只将提供满意电气输出之隔离部分连接至一导电片;此导电片提供与半导体本体相结合之一电气接触;以及提供基质层上之一电气接触;因而利用只电气连接半导体本体提供满意电气输出之部分,使光电伏打装置之全般效率得以改进。2.制造一创新之光电伏打装置板(如太阳电池)之方法,每一光电伏打装置含有:(a)一共用导电基质层;(b)沉积于此基质层上之一半导体本体;以及(c)沉积于此半导体本体顶上之一透明导电层;此种方法所含之步骤为:将每一光电伏打装置之半导体本体分成多个部份,每一部份均与每一半导体本体之其他部份真正电气隔离;试验每一半导体本体之每一隔离部分之电气输出;只将每一半导体本体提供满意电气输出之隔离部分连接至与此半导体本体相结合之一导电片,此导电片从每一光电伏打装置之透明层提供一接触;设置每一光电伏打装置之基质层上之一电气接触;将多个光电伏打装置作结构上及电气上之结合,以形成一光电伏打装置板,其中多个光电伏打装置之每一个之透明层接触与多个光电伏打装置每一个之基质层接触均被电气连接;因而,使光电伏打装置之全般效率藉只电气连接每一半导体本体提供满意电气输出之部分而得以增进。3.根据上述请求专利部份第1或2项之方法,其中该透明层系原来连续不断,而半导体本体系分成多个隔离部份,其法为将透明层铭刻成多个单元段节。4.根据上述请求专利部份第3项之方法,其中于每一单元透明层段节上加以一栅格图案。5.根据上述请求专利部份第1或2项之方法,其中该透明层系作为一原来不连续层加上,以构成多个电气隔离部分。6.根据上述请求专利部份第5项之方法,其中多个隔离部份系由多个单元透明层段节所界定。7.根据上述请求专利部份第6项之方法,其中一栅格图案系加于每一单元透明层段节上。8.根据上述请求专利部份第1或2项之方法,含有另一步骤,将每一光电伏打装置封包在一电绝缘透光保护顶层与一电绝缘底层之间。9.根据上述请求专利部份第8项之方法,含有另一步骤,将光电伏打装置形成为一大型而大体为平面之机件,分成多个大体并行之排,每一排由多个隔离部分所界定。10.根据上述请求专利部份第9项之方法,其中该导电片为一铜质滙流排,此淮流排系用一种电绝缘矽胶固定在透明层之隔离部分之相间排之间者。11.改善诸如太阳电池之半导体装置之电气输出之方法,此类装置包括:(a)一导电基质层;(b)沉积于此基质层上之一半导体本体;以及(c)沉积于半导体本体上之一透明导电层,此种方法所包含之步骤为:将半导体本体分成多个部分,每一部分均与其他部分真正电气隔离;试验半导体本体之每一隔离部分之电气输出,以识别该半导体本体末提供满意电气输出之隔离部分;设法改良该半导体本体未提供满意电气输出之任何隔离部分之电气输出;以及一连接半导体本体开始时提供满意电气输出之隔离部分以及该半导体本体继其设法改良之后提供满意电气输出之隔离部分。因而,改进半导体装置之全般效率。12.根据上述请求专利部份第11.项之方法,含有进一步之步骤,即继设改良之后,再测试半导体本体之隔离部分之电气输出,以决定设法改良是否成功。13.根据上述请求专利部份第11.项之方法,含有另一步骤,即将一栅格图案加于半导体本体之每一隔离部份上。14.根据上述请求专利部份第11.项之方法,含有另一步骤,即将每一半导体装置封包在一电绝缘透光保护顶层与一电绝缘底层之间。15.一种创新之太阳电池,含有(a)一共用导电基质层;(b)沉积于基质层之一半导体本体;以及(c)沉积于半导体本体顶上之一透明层;此种太阳电池以组合方式含有:将半导体本体分成多个真正电气隔离之部份;至少一个导电片;半导体本体提供之满意电气输出之每一隔离部分均被电气连接至至少一个导电片,此至少一个导电片提供与半导体本体相结合之一电气接触;基质层上之一电接触;以及一电绝缘透光保护顶层与一电绝缘底层,太阳电池封包在此项底两层之间,俾仅半导体本体提供满意电气输出之部份被连接起来,改进太阳电池之全般效率。16.根据上述请求专利部份第15.项之太阳电池,其中半导体本体含有至少一项三个一组之层次,此至少三个一组之层次含有一P导电层,一本质层以及-n导电层。17.根据上述请求专利部份第15.项之太阳电池,另外含有一栅格图案形成半导体本体之每一隔离部分之上。18.根据上述请求专利部份第17.项之太阳电池,其中该太阳电池为大约一平方尺大体为平面之机件,此机件被分成多个半导体本体之大体为平行排之隔离部分。19.根据上述请求专利部份第18.项之太阳电池,其中该至少一个导电片之每一片均为一铜质滙流排,此滙流排系固定在半导体本体隔离部分之相间排之间。20.根据上述诵求专利部份第19.项之太阳电池,其中之铜质滙流排系用一种电绝缘矽胶固定至半导体本体之隔离部分。21.从具有一较大表面面积之一半导体装置形成一比较小表面面积半导体装置之方法;此大面积半导体装置含有:(a)一共用导电基质层;(b)沉积于基质层上之一半导体;以及(c)沉积于半导体本体顶上之一透明导电层;此种方法所包含之步骤为:将大面积半导体本体分成多个电隔离部分,其法为将透明层分成对应于将此大面积半导体本体所分成之多个电气隔离部分之多个单元段节;以及将隔离部分间之大面积半导体装置切割,以形成至少一个小面积半导体装置,此装置含有:(a)一段节之共用基质;(b)一对应段节之大面积半导体本体;以及(c)一对应单元段节之透明层。22.根据上述请求专利部份第21.项之方法,其中该半导体本体系于透明层分成多个单元段节时分成多个单元段节。23.根据上述请求专利部份第21.项之方法,其中于割切大面积半导体装置以前,测试该半导体本体之每一隔离部分之电气输出,以及只分割提供满意电气输出之隔离部分。24.根据上述请求专利部份第21项之方法,含有另一步骤,即将一栅格图案加于透明层之每一隔离部分上。 |
