| 摘要 |
본 기술은 비트라인들과 소오스 라인 사이에 연결된 셀 스트링들을 포함하는 다수의 메모리 블럭들; 상기 메모리 블럭들 중, 선택된 메모리 블럭의 소거 동작을 수행하도록 구성된 주변회로; 및 소거 커맨드가 수신되면, 상기 메모리 블럭들 중, 비선택된 메모리 블럭에 연결된 로컬 워드라인들을 접지시키고, 상기 소오스 라인에 소거 전압보다 낮은 프리 소거 전압을 인가한 후, 상기 비선택된 메모리 블럭에 연결된 로컬 워드라인들을 플로팅 시키고, 상기 소오스 라인에 상기 소거 전압을 인가하여 상기 선택된 메모리 블럭의 상기 소거 동작이 수행되도록 상기 주변회로를 제어하는 제어회로를 포함하는 반도체 장치 및 이의 동작 방법을 포함한다. |
