发明名称 FLASH MEMORY CONTROL METHOD CONTROLLER AND ELECTRONIC APPARATUS
摘要 메모리 제어 방법이 플래시 메모리 제어를 위해 사용된다. 플래시 메모리는 제1 메모리 요소 및 제2 메모리 요소를 포함한다. 제2 메모리 요소는 복수의 블록을 포함하고 각각의 블록은 복수의 페이지를 포함한다. 이 방법에서, 원 데이터가 제1 메모리 요소에 기록된다. 입력 데이터가 제1 메모리 요소로부터 원 데이터를 판독함으로써 획득된다. 입력 데이터는 복수의 입력 데이터 행을 포함한다. 입력 데이터 행은 데이터 그룹으로 분할된다. 각각의 데이터 행에 대응하는 입력 데이터 행은 제2 메모리 요소 상의 대응하는 데이터 페이지에 기록된다. 각각의 데이터 그룹에 대응하는 패리티 행이 제2 메모리 요소 상의 데이터 페이지에 기록된다. 각각의 데이터 그룹에 대한 데이터 행의 개수는 제2 메모리 요소 내의 각각의 블록의 개수보다 작다.
申请公布号 KR101659888(B1) 申请公布日期 2016.09.26
申请号 KR20140040462 申请日期 2014.04.04
申请人 실리콘 모션 인코포레이티드 发明人 양 충-치에
分类号 G11C29/42;G11C16/00 主分类号 G11C29/42
代理机构 代理人
主权项
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