| 主权项 |
1.一种喷墨印头晶片之单石制造方法,用在具有复数个制动元件之一喷墨晶片上,该喷墨印头之单石制造方法包括:形成一第一高分子材料层于该喷墨晶片上方,做为墨水阻隔层;形成一第二高分子材料于该第一高分子材料层上方,做为该喷墨印头之喷孔片层;以及蚀刻位在该些制动元件上方之该喷孔片层以形成复数个喷孔及蚀刻形成墨水室。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一高分子材料系一感光性材料。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该感光性材料系厚膜光阻。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该感光性材料系乾膜。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一与该第二高分子材料层系以旋转涂布方式形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一与该第二高分子材料层系以滚压方式形成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一与该第二高分子材料层之材料的膨胀系数系相近。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二高分子材料层系选自于由聚亚醯胺(polyimide)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)、环氧化物(epoxy)、酚醛树脂(novolac)、聚酯(polyester)以及聚(polysulfone)所构成的集合中之材料。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些喷孔系以雷射加工形成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些喷孔系以乾式蚀刻形成。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些喷孔系以湿式蚀刻形成。12.一种喷墨印头晶片之单石制造方法,用在具有复数个制动元件之一喷墨晶片上,该喷墨印头晶片之单石制造方法包括:形成一第一高分子材料层于该喷墨晶片上方,做为墨水阻隔层;定义复数个墨水室与墨水通道图案于该第一高分子材料层上;形成一第二高分子材料于该第一高分子材料层上方,做为该喷墨印头之喷孔片层,其中该第二与该第一高分子材料层之材料的膨胀系数系相近;蚀刻位在该些制动元件上方之该喷孔片层以形成复数个喷孔;以及蚀刻形成该些墨水室与墨水通道。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一高分子材料系一感光性材料。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该感光性材料系从正光阻形式与负光阻形式两者择一。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该感光性材料系厚膜光阻。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该感光性材料系乾膜。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二高分子材料层系选自于由聚亚醯胺、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环氧化物、酚醛树脂、聚酯以及聚所构成的集合中之材料。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一与该第二高分子材料层系以旋转涂布方式形成。19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一与该第二高分子材料层系以滚压方式形成。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一高分子材料层之厚度系介于约5m到200m之间。21.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二高分子材料层系介于约5m到200m之间。22.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该些喷孔系以雷射加工形成。23.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该些喷孔系以乾式蚀刻形成。24.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该些喷孔系以湿式蚀刻形成。25.一种喷墨印头结构,包括:一喷墨印头晶片,该喷墨印头晶片含有制动元件;一墨水阻隔层,系由一第一高分子材料所构成之,位在该喷墨印头晶片上方,并且形成复数个墨水室;以及一喷孔片,系由一第二高分子材料构成,分别位在该些阻隔层的上方,其中该第二高分子材料与该第一高分子材料之膨胀系数接近。26.如申请专利范围第25项所述之结构,其中该第一高分子材料系一感光性材料。27.如申请专利范围第25项所述之结构,其中该感光性材料系厚膜光阻。28.如申请专利范围第25项所述之结构,其中该第二高分子材料层系选自于由聚亚醯胺、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环氧化物、酚醛树脂、聚酯以及聚所构成的集合中之材料。图式简单说明:第一图绘示习知技艺的一示意图;以及第二图A到第二图E绘示依照本发明一较佳实施例的制造流程图。 |
