| 主权项 |
1.一光向应元件,其包含:一含第一电导型杂质之半导体材料基片;一在该基片上形成之半导体材料氧化绝缘层;一些在该氧化层上配置之电导体;及一位于该氧化层上之硫属化铅岛状区,其至少与该等电导体之一中的某段作欧姆性接触。2.一依请求专利部份第1项所请求之装置,其进而包含:一些由该表面伸入该基片之第二型(相反型)电导性之第一类隔离区;及诸电导体之一伸过介于一对马状区间之基片区而与该岛状区作欧姆性接触。3.一依请求专利部份第1项所请求之装置,其进而包含:一些目该表面伸入该基片之第二型(相反型)电导性之隔离区;界定等量数目的使该等区域裸露之分离式开口的氧化绝缘层;及诸电导体之一伸过介于一对岛状区间之氧化绝缘层区域而与该岛状区作欧姆性接触。4.一依请求专利部份第1项所请求之装置,其进而包含:一些自该表面伸入该基片之第二型(相反型)电导性之隔离区;界定等量数目的使该等区域裸露之分离式开口的氧化绝缘层;及一导导体与该岛状区作欧姆接触,此岛状区系经一开口区与上述区域作电性接触。5.一依请求专利部份第1项所请求之装置,其中该半导体材料包含矽元素。6.一依请求专利部份第1项及第5项所请求之装置,其中该硫屑化铅系选自由硫化铅,硒化铅,蹄化铅,及其混合物所组成之群中。7.一依请求专利部份第6项所请求之装置,其中该电导体系由一配置于该氧化层上之铬层及一配贤于该铬层上之金屏形成。8.一光向应装置,其包含:一含第一电导型杂质之半导体材料基片;一对台第二型(相反型)电导性杂质由该基片表面内伸之隔离区;一在界定该区之分离开口的表面上的半导体材料氧化绝缘层;一些配置于该氧化层上彼此相间之电导体,其中第一导体之一端位于该氧化层之一段上,此氧化层系位于介于该等区域之基片部份上,而其他导体则经该开口区而与该等区域作电性接触;及一硫屏化铅岛状区位于该氧化层上并与该等导体之一段作欧姆式接触。9.一依请求专利部份第8项所请求之装置,其中该硫属化铅岛状区与第一电导体作欧姆式接触。10.一依请求专利部份第9项所请求之装置,其中该硫属化铅岛状区亦与其他电导体作欧姆式接触。11.一依请求专利部份第8项所请求之装置,其中该半导体材料包含矽元素。12.一依请求专利部份第8及11项所请求之装置,其中该硫属化铅系选自包含硫化铅,硒化铅,碲化铅,及其混合物之群中。13.一依请求专利部份第12项所请求之装置,其中该电导体系由一配置于该氢化层上之铬层及一配置于该铬层上之金属形成。14.一光向应装置,其包含:一含第一型电导性杂质之半导体矽基片;一源极区及一吸极区含第二型(相反型)电导性杂质并由该基片表面内伸且以第一型电导性闸极区隔开;一二氧化矽层,配置于界定分离式开口之表面上,此等开口以一在闸极区处覆盖该表面之二氧化矽带片所分隔;一些配实于二氧化矽层上与第一电导体成相间组态的电导体,此第一导体经一开口与源极区作电性接触;第二电导体经另一开口与吸极作电性接触,而第三电导体则横过该二氧化矽带片;一对红外线辐射呈现光向应性之硫属化铅材料第一岛状区位于二氧化矽层上而与第三电导体和其他此等导体之一作欧姆式接触;一位于二氧化矽层上之硫属化铅材料第二岛状区,其与第三电导体及其他此等导体之一作欧姆式接触;及一对缸外线辐射呈不透明之材料层,其覆盖了第二岛状区。 |
