发明名称 真空系统用之半导素陷
摘要
申请公布号 TW065126 申请公布日期 1985.02.16
申请号 TW073102842 申请日期 1984.07.12
申请人 施多福化学公司 发明人
分类号 H01L21/64 主分类号 H01L21/64
代理机构 代理人 戴文奎 台北巿忠孝东路四段二一六巷十六号三之三室
主权项 1.一真空系统陷阱包含:(A)裂解用之装置,以及(B)其邻近之冷壁。2.第1项之陷阱其中所述之裂解装置为—热丝。3.第1项之陷阱,其中所述之冷壁可自所述真空系统中移出。4.一真空系统陷阱,包含:(A)一主体部份;(B)与所述主体部份接触之冷却装置。(c)一配合于所述主体部份内之可移除套筒;及(D)在所述套筒内之裂解装置。5.第4项之陷阱套筒,其中所述之裂解装置为-热丝。6.第4项之陷阱,置于一真空室内。7.第4项之陷阱,置于真空线路内。8.第1至第7项任一项之陷阱,以及:(E)一朝向第一方向通至所述陷阱之入口;以及(F)一朝向第二方向而由所述陷阱出来之出口,第二方向通常与所述第一方向垂直。9.第8项之陷阱、其中所述之入口朝向所述裂解装置。10.第1至第7项任一项之陷阱,以及:(E)一朝向所述裂解装置而通至所述陷阱之入口。11.从真空室除去有害气体之力法,包含:使气体破裂成具较高黏度系数之形式,及使此种气体凝结在一冷表面上12.第11项之方法 其中所述之气体包含一半导素。13.第11项之方法 其中所述之气体包含一种破裂成(半导素)2,之(半导素)4分子。14.第11至13.项之 法,其中所述之室为一真空管路。
地址 美国