| 主权项 |
1.一种有多値串联连接半导体转换器U1,U2.……‥之光电转换装置,其系包括:(a)具有一绝缘表面的基底;(b)多个并列构成在基底上的第一电极E1,E2;(c)一个构成在基底上的非单晶半导体叠层构件,以盖住第一电极E1 ,E2.…-;及(d)多个构成在非单晶半导体叠层构件上的第二电极F1,F2,且分别与第一电极E1,E2.…成对立关系;其中:(e)半导体转换器U1(其中i=1,2……)系由第一电极Ei,第二电极Fi与夹在第一与第二电极Ei与Fi之间的非单晶半导体叠层构件之区域Qi所组成;(f)第二电极FI系经由接触部份Ki(i+1),连接至第一电极EI;(g)多个第一电极E1,E2..,藉着多个沿着第一电极的排列方向顺序排列之第一隔离凹槽G12,G23…分别与毗邻的第一电极隔开;(h)非单晶半导体叠层构件系延伸至多个第一隔离凹槽C12,G23...…内。(i)多个第二电极F1,F2,系藉着沿着第二电极的排列方向顺序排列之第二隔离凹槽H12,H23,.…-与毗邻电极隔开;(j)第二隔离凹槽Hi(i+1)系以相对关系延伸至隔离凹槽Gi(i+l),之边上的第一电极Ei+1之区域,因此,第二电极Fi系正对着隔离凹槽Gi(I+1)之边上的第一电极EI+1的区域。(k)在非单晶半导体叠层构件之区域(第二电极Fi即越过此区域与第一电极EI+1相对立)中,系切割一个延伸在第二电极Fl与第于电极EI+1之间的接触凹槽0I(i+1)。(l)第二电极Fi系延伸为接触部分Ki(i+1),经由接触凹槽Oi(i+1),到达第一电极EI+1;及(m)接触凹槽Oi(i+1),并未延伸至沿着半导体转换器U1,U2,………之排列方向延伸的非单晶半导体叠层构件11的侧壁,致使接触部分Ki(i+1)并未延伸至非单晶导体叠层构件的侧壁。2.依据请求专利部份第2项的光电转换装置,其中:(m)沿着半导体转换器U1,U2, …的排列方向延伸之半导体转换器U1的第一电极Ei及/或第二电极Fi的侧壁系位于基底之侧壁里面。3.依据请求专利部份第1或2项的光电转换装置,其中基底为透明基底,且第一电极E1,E2.….,分别以透明导电层构件。4.依据请求专利部份第3项的光电转换装置,其中第二电极F1,F2分别包括构成在非单晶半导体叠层构件的边上之透明导电层以及构成在透明导电层上的反射导电层。5.依据请求专利部份第1或2项的光电转换装置,其中第二电极F1,F2…‥分别以透明导电层构成。6.依据请求专利部份第5项的光电转换装置,其中第一电极E1,E2分别包括构成在基底的边上之反射导电层,与构成在反射导电层上的透明导电层。7.一种有多値串联连接半导体转换器U1,U2.…‥之光电转换装置,其系包括:(a)具有一绝缘表面的基底;(b)多个并列构成在基底上的第一电极E1,E2 ……;及(c)一个构成在基底上的非单晶半导体叠层构件,以盖住第一电极E1,E2 ;及(d)多个构成在非单晶半导体叠层构件上的第二电极F1,F2.,且分别与第一电极F1,F2.…‥成对立关系;其中:(e)半导体转换器UI(其中i=1,2….)系由第一电极Ei ,第二电极Fi与夹在第一电极EI与第二电极Fi之间的非单晶半导体叠层构件之区域Qi所组成;(f)第二电极Fi系经由接触部分Ki(i+1)连接至第一电极Ei;(g)多个第一电极E1,E2藉着多个沿着第一电极的排列方向顺序排列之第一隔离凹槽G12,G23…分别与毗邻电极隔开;(h)非单晶半导体叠层构件系延伸至多个第一隔离凹槽G12,C23;(i)多値第二电极F1,F2藉着多个沿着第二电极的排列方向顺序排列之第二隔离凹槽H12,H23..﹒与毗邻电极隔开;(j)第二隔离凹槽Hi(i+1)系与隔离凹槽Gi(i+1)的边上之第一电极Ei+1的区域成对立关系地延伸,因此,第二电极Fi系正对着隔离凹槽Gi(i+1),的边上之第一电极Ei+1之区域。(k)在非单晶半导体叠层构件的区域(第二电极Fi系越过此区域,与第一电极Ei+1,相对)中,系切割着一个延伸在第二电极Fi与第一电极Fi+1之间的接触凹槽Oi(i+1);(1)第二电极Fi系延伸为接触部分Ki(i+1),且经由接触凹槽Oi(i+1),到达第一电极Ei+1;及(m)沿着半导体转换器U1,U2的排列方向延伸之半导体转换器U1的第一电极Ei及/或第二电极Fi的侧壁系位于基底之侧壁的里面。8.依据请求专利部份第7项的光电转换装置,其中基底为透明基底,第一电极E1,E2.分别以透明导电层构成。9.依据请求专利部份第8.项的光电转换装置,其中第二电极F1,F2,.‥-分别包括构成在非单晶半导体叠层构件的边上之透明导电层,以及构成在透明导电层上的反射导电层。10.依据请求专利部份第7项的光电转换装置,其中第二电极F1,F2分别以透明导电层构成。11.依据请求专利部份第10.项的光电转换装置,其中第一电极E1,E2‥分别包括构成在基底的边上之反射导电层与构成在反射导电层上的透明导电层。12.一种具有多个串联连接半导体转换器U1,U2...,之光电转换装置的制造方法,其步骤包括:(a)在具有一绝缘表面的基底上构成第一导电层;(b)藉着第一层射束,将第一导电层划线,以便于其中切割多个顺序排列的第一隔离凹槽G12,G23...…藉此方式,即在基底上构成多个顺序排列的第一电极E1,E2,,(c)在基底上构成一非单晶半导体叠层构件,以盖住多个第一电极E1,E2.…‥与填充多个第一隔离凹槽G12,G23...;(d)藉着第二雷射束在非单晶半导体叠层构件中挖空接触凹槽O12,O23...…以便将其中的第一电极E1,E2..,‥分别局部曝露至第一隔离凹槽G12,,G23....的边上之外边;(e)在基底上构成第二导电层,以盖住非单晶半导体叠层构件且填充接触凹槽O12,O23,...以使接触部份K12,K23.…‥分别与第一电极E2 E3,相接触;及(f)藉着第三雷射束,将第二导电层划线,以便于其中切割第二隔离凹槽H12,H23,.…‥这些隔离凹槽H12,H23.…-于接触凹槽O12,023分别相关至正对面上的第一隔离凹槽G12,G23,…‥依此方式,系在非单晶半导体叠层构件上构成第二电极F1,F2,‥,这些第二电极Fl (F2……分别经由接触部份K12,K23...…连接至第一电极E2,,E3.…‥;其中(g)所构成接触凹槽0I(i+1)(其中i=1,2……)并未延伸至非单晶半导体叠层构件的侧壁,非单晶半导体叠层构件系沿着半导体转换器U1,U2‥.的排列方向延伸。13.依据请求专利部份第12项的制造方法,其中:(g)使用第一雷射束将第一导电层划线的步骤中,在第一导电层中系切割着第三隔离凹槽,这些第三隔离凹槽沿着半导体转换器U1,U2的排列方向延伸,且此第三隔离中曝露出沿着半导体转换器U1,U2,…的排列方向延伸之第一电极Ei(其中i=1,2,…,.)的边,及/或在藉着第三雷射束将第二导电层划线的步骤中,在第二导电层中系切割着沿着半导体转换器U1,U2,.‥.的排列方向延伸之第四隔离凹槽,且此第四隔离凹槽中曝露出沿着半导体转换器U1,U2, .….的排列方向延伸的第二电极Fi的边。14.依据请求专利部份第12或13.项的制造方法,第一,第二与第三雷射束的波长为600毫微米或更短。15.依据请求专利部份第12或13.项的制造方法,其中基底为透明基底,第一导电层系以透明导电层构成。16.依据请求专利部份第15.项的制造方法,其中第二导电层包括构成在非单晶半导体叠层构件的边上之透明导电层,以及构成在透明导电层上的反射导电层。17.依据请求专利部份第12或13.项的制造方法,其中第二导电层以透明导电层以透明导电层构成。 .18.依据请求专利部份第17.项的制造方法,其中第一导电层包括构成在基底的边上之反射导电层,以及构成在反射导电层上的透明的导电层。19.一种具有多个串联连接半导体转换器U1,U2.….,的光电转换装置之制造方法,其步骤包括:(a)在具有一绝缘表面的基底上构成第一导电层;(b)藉着第一雷射束将第一道电层划线,以便于其中切割多个顺序排列的第一隔离凹槽G12,G23...…,藉此方式,即在基底上构成多个顺序排列的第一电极E1,E2…‥;(c)在基底上构成了非单晶半导体叠层构件,以盖住多个第一电极E1,E2.…。,以及填充多个第一隔离凹槽G12,G23;(d)藉着第二雷射束,在非单晶半导体层构件中挖掘接触凹槽012,O23.…-,以便将其中第一电极E1,E2..…局部曝露至第一隔离凹槽G12,G23…,的边上之外面;(e)在基底上构成第二导电层,以便盖住非单晶半导体叠层构件且填充接触凹槽012,023,以构成分别与第一电极E2 ,E3.…‥相接触的接触部份K12,K23.….;及(f)藉着第三雷射束,将第二导电层划线,以便于其中切割第二隔离凹槽H12,H23…此第二隔离凹槽Hl,,Hz3,…‥系关于接触凹槽01,,023...…,分别相关至正对面上的第一隔离凹槽G12,G23..….依此方式,系在非单晶半导体叠层构件上构成第二电极F1,F2‥这些第二电极F1,F2,‥,分别经由接触部份K12,K23.,…,连接至第一电极E,E3.…‥;其中(g)使用第一雷射束将第一导电层划线的步骤中,在第一导电层内系切割着第三隔离凹槽,这些隔离凹槽沿着半导体转换器U1,U2.…‥的排列方向延伸,且其中曝露出沿着半导体转换器U1,U2..,…的排列方向延伸之第一电极E1的边,及/或在使用第三雷射束将第二导电层划线的步骤中,在第二导电层内系切割着沿着半导体转换器U1,U2.…-的排列方向延伸之第四隔离凹槽,此第四隔离凹槽中曝露出沿着半导体转换器U1,U2.‥的排列方向延伸之第二电极Fi的边。20.依据请求专利部份第19.项的制造方法,第一,第二与第三雷射束分别具有600毫微米或更短的波长;21.依据请求专利部份第19项的制造方法,其中基底为透明基底,且第一导电层系由透明导电层构成。22.依据请求专利部份第21.项的制造方法,其中第二导电层分别包括构成在非单晶半导体叠层构件上的透明导电层,以及构成在透明导电层上的反射导电层。23.依据请求专利部份第19.项的制造方法,其中第二导电层系以透明导电层构成。24.依据请求专利部份第19.项的制造方法,其中第一导电层包括构成在基底的边上之反射导电层,以及构成在反射导电层上的透明导电层。 |
