发明名称 用以产生电子束之半导体装置
摘要
申请公布号 TW065124 申请公布日期 1985.02.16
申请号 TW073102714 申请日期 1984.07.04
申请人 飞利浦电泡厂 发明人
分类号 H01L29/68 主分类号 H01L29/68
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种用以产生电子束的半导体装置,该装置至少有一个阴极,包含设置在主要表面上的半导体本体以及至有一个小孔的电气绝缘层;在该装置上,在绝缘层有小孔的边缘至少有一个加速电极,且半导体本体的小孔内有一个PN接合。该半导体装置的特点为半导体本体在小孔内至少有一个凸出部份,从主表面看其横截面平行于主要表面向下降。2.根据上述请求专利部份第1项中的半导体,其特点为凸出部份实质上为圆锥形或棱锥形。3.根据上述请求专利部份第1项或第2项中的半导体装置,其特点为凸出部份至少在靠近端点处为圆形。4.根据上述请求专利部份第3项中的半导体装置,其特点为圆形端的半径由度约在0.01与1微米之间。5.根据上述请求专利部份第1项中的半导体装置,其特点为凸出部份在靠近主要表面处实际上为长条形,但从与长条纵向成直角来看凸出部份的横截面时,至少在靠近端点处应为圆形。6.根据上述请求专利部份第1项中的半导体装置,其特点为PN接合位于小孔内邻近半导体本体表面的N型区与P型区之间。当电压反向加于此PN接合时,其中半导体本体即产生电子`电子目半导体本体流出,使PN接合在小孔内比其余部份有局部的较低崩溃电压;具有较低邱溃电压的部份被N型层自表面分开,N型层的厚度与掺杂使其在崩溃电压时,PN接合的空乏区不致延伸至表面,但维持自表面层分开;表面层甚薄,足以使半导体本体产生的电子通过。7.根据上述请求专利部份任何一项中的半导体装置,其特点为表面区涂有降低工作函数的材料。8.在具备控制电子束扫描电荷影像设备的摄影管中,其特点为电子束由申请专利事项第1至7项中的半导体装置所产生。9.在具备控制电子束产生影像设备的显示器中,其特点为电子束由由申请专利事项第1至7项中的任何一种半导体装置所产生。10.根据上述请求专利部份第9项中的显示设备,其特点为该显示设备包含一萤光幕,位于距半导体装置数毫米的真空中,其中萤光幕由半导体装置放射出来的电子吏使其作用。
地址 荷兰