| 摘要 |
Ein Leistungshalbleitermodul wird bereitgestellt, bei dem das Induktivitätsverhältnis von Verdrahtungsmustern erhöht und eine Veränderung bei einem Source-Potential zwischen Halbleiterelementen des lichtbogenselbstlöschenden Typs, die auf einem Isoliersubstrat angebracht sind, reduziert wird, um dadurch eine Unterbindung eines Stromungleichgewichts zu ermöglichen. Das Leistungshalbleitermodul umfasst: einen positiven Zweig und einen negativen Zweig, die durch eine Reihenschaltung von Halbleiterelementen (6) des lichtbogenselbstlöschenden Typs gebildet sind, wobei der positive Zweig und der negative Zweig an einer Reihenanschlussstelle zwischen den Halbleiterelementen (6) des lichtbogenselbstlöschenden Typs angeschlossen sind; eine positivseitige Elektrode (10), eine negativseitige Elektrode (11) und eine Wechselstromelektrode (12), die an den positiven Zweig und den negativen Zweig angeschlossen sind; und ein Substrat (2), auf dem mehrere Verdrahtungsmuster (3, 4) ausgebildet sind, wobei die Verdrahtungsmuster die Halbleiterelemente (6) des lichtbogenselbstlöschenden Typs des positiven Zweigs und des negativen Zweigs an die positivseitige Elektrode (10), die negativseitige Elektrode (11) und die Wechselstromelektrode (12) anschließen. Jeweilige Richtungen eines Stroms, der in benachbarten Verdrahtungsmustern (4) fließt, sind zueinander identisch, und eines (4) der benachbarten Verdrahtungsmuster ist in Spiegelsymmetrie mit dem anderen (4) der benachbarten Verdrahtungsmuster angeordnet. |
