发明名称 Method for contaminating wafer
摘要 실시 예의 웨이퍼 오염 방법은, 금속과 오염 촉진 용액을 포함하는 복수의 1차 오염 용액을 준비하는 단계와, 복수의 1차 오염 용액 중 해당하는 1차 오염 용액에 첨가 용액을 첨가하여, 복수의 1차 오염 용액에 포함된 오염 촉진 용액 간의 농도 편차를 감소시킨 복수의 2차 오염 용액을 준비하는 단계와, 복수의 2차 오염 용액을 웨이퍼 표면 위의 해당하는 복수의 지점에 떨어뜨리는 단계 및 웨이퍼 표면에 떨어진 복수의 2차 오염 용액을 건조시키는 단계를 포함할 수 있다.
申请公布号 KR101669958(B1) 申请公布日期 2016.10.27
申请号 KR20150144215 申请日期 2015.10.15
申请人 LG SILTRON INCORPORATED 发明人 PARK, MIN GYU;KIM, JA YOUNG;PARK, JUNG KIL
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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