| 主权项 |
1.一装置与电气系统结合,此系统可接收和分析由侦测器所产生之讯号,此侦测器被置于一具有伽码射线和中子之流场中,此装置可用以测量流场中之能量位准包括:(a)一第一侦测器,具有至少一第一感测器,其被置于中子和伽码射线之环境中,且被电气性地接至一电气系统。(b)一第二侦测器,包括至少一第二感测器,其电气性地接到第一感测器,且被置于中子和伽码射线之环境中,其且被电气性地接至一电气系统。(c)一分裂材料,被覆于第一侦测器与第一感测器成热传导关系,可被伽码射线和中子捕获加热,且可因此加热第一感测器,使其产生一第一讯号输出被送到电气系统;及(d)一不分裂材料;被覆于第二侦测器兴第二感测器成热传导关系,可被伽码射线捕获加热,且因此加热第二感测器,使其产生一第二讯号输出,可与第一输出在电气系统中被分析以决定流场之能量位准,中子流和伽码射线流。2.如请求专利部份第1.项之装置,其中至少一感测器为一热偶。3.如请求专利部份第2.项之装置,其中之热偶至少有两由,铬合金所组成之导线。4.如请求专利部份第一项之装置,其中至少一侦测器为球形。5.如请求专利部份第一项之装置,其中至少一侦测器为金属材料。6.如请求专利部份第一项之装置,其中第一感测器为一金属球。7.如请求专利部份第一项之装置,其中至少一感测器为置于至少一球侦测器之中央。8.如请求专利部份第一项之装置,其中至少一侦测器为一金属材料,且为球形,并覆有一薄金属。9.如请求专利部份第一项之装置,其中侦测器被置于一壳中。10.如请求专利部份第一项之装置,其中分裂材料包括U一234和U 235。11.如请求专利部份第10.项之装置,其中U一234和U一235之比例为79%此21%。12.如请求专利部份第1.项之装置,其中不分裂材料具有伽码射线吸收特性且与分裂材料者一样,使得两种材料皆能被伽码射线吸收以同样程度加热。13.如请求专利部份第1.项之装置,其中用以电气性地偶接第一和第二感测器之偶线亦被接至电气系统。14.如讲求专利部份第1.项之装置,其中第一侦测器和第二侦测器为同一体积。15.如请求专利部份第1.项之装置,其中第一和第二侦测器为球形,每一个直径相同。16.如请求专利部份第1.项之装置,其中分裂和不分裂材料具有与U一235之热性质一样。17.如请求专利部份第1.项之装置,其中第一和第二侦测器可操作以达成伽码补偿,由此侦测器之最后输出讯号包括有关于由中子吸收单独加热所产生之资料。18.如请求专利部份第1.项之装置,其中不分裂材料为钨合金。19.如请求专利部份第1.项之装置,其中不分裂材料可为纯钨。20.如请求专利部份第1.项之装置,其中第一及第二感测器与其它者为热绝缘21.如请求专利部份第20.项之装置,其中侦测器之热绝缘乃以将其包装在氧化矽中来达成。22.如请求专利部份第1.项之装置,其中每一侦测器乃埋入BeO中,且因此以氧化矽层而和其它相绝缘。23.如请求专利部份第1.项之装置,其中装置乃容于一不锈钢,防水壳中,此壳可被伽玛射线和中子穿透。 |
