发明名称 含锵峭和其他铂族元素之电解用电极
摘要
申请公布号 TW069591 申请公布日期 1985.08.16
申请号 TW074100280 申请日期 1985.01.22
申请人 东电化股份有限公司 发明人
分类号 C25D8/52 主分类号 C25D8/52
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.此电极使用于电解之用,它含有一至少部分外表面覆盖白金属触媒剂的可导电基片,其特征在于此覆盖层包括(i)3至45%(莫耳百分率)的氧化钕。(ii)至少一元件有0.1至30%(莫耳百分率)选自于铂,氧化铂与氧化铱。(iii) 50至96.9 %(莫耳百分率)的氧化锡。2.根据请求专利部份第1.项,其基片是由片状金属或合金制成。3.根据请求专利部份第1.项,此电极的覆盖层含有(i)10至30%(莫耳百分率)的氧化铵。(ii)至少一元件有5至15%(莫耳百分率)选自铂、氧化铂与氧化铱。(iii)55至85%(莫耳百分率)的氧化锡。4.根据请求专利部份第1.项,电极成分(ii)中至少有一元件选自铂或氧化铱的材料制成。5.此使用于电解的电极,含有一可导电的基片,它的部份外表面覆盖一层白金属的触媒剂,其特征在于此覆盖层含有(i)3至45%(莫耳百分率)的氧化钕。(ii)至少有一元件的0.1至30%(莫耳百分率),由铂,氧化铂,与氧化铱制成。(iii)50至96.9%(莫耳百分率)的氧化锡,其中不超过10%(莫耳百分率)的锡,可以锑系代替。6.根据请求专利部份第5.项,此电极的基片是由片状金属合金制成。7.根据请求专利部份第5.项,覆盖层包括(i)10至30%(莫耳百分率)的氧化钕。(ii)至少有一元件的5至15%(莫耳百分率),选自铂,氧化铂,与氧化铱。(iii)55至85%(莫耳百分率)的氧化锡。8.根据请求专利部份第5.项,由成分(ii)至少有一元件由铂与氧化铱制成9.根据请求专利部份第5.项,电极的成分中,锑取代锡之量,不同超过5%(莫耳百分率)。
地址 日本