| 摘要 |
폴리아세탈 수지, 그 합성 방법 및 폴리아세탈 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 개시한다. 예를 들어, 산해리성 구조를 갖는 단분자 형태의 화합물인 폴리아세탈 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 사용하여 반도체 소자를 제조할 경우, 미세한 패턴을 형성할 수 있는 리소그래피, 예를 들어, EUV 리소그래피에서 요구되는 포토레지스트의 고감도, 고해상도, 고식각내성, 저아웃가스량을 향상시킬 수 있으며, 아울러 양호한 포토레지스트 패턴 형상을 얻을 수 있다. |
