| 发明名称 |
HIGH DENSITY V-GROOVE MOS CONTROL THYRISTOR, INSULATED GATE TYPE TRANSISTOR AND MOSFET AS WELL AS METHOD OF PRODUCING SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS60253275(A) |
申请公布日期 |
1985.12.13 |
| 申请号 |
JP19850089097 |
申请日期 |
1985.04.26 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC CO |
发明人 |
BIKUTAA ARUBAATO KIISU TENPURU |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/332;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/745;H01L29/749;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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