| 发明名称 | 半导体钙离子传感器 | ||
| 摘要 | 半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由Mos管、敏感膜、电极杆组装成。由Mos管栅极引出一根铂丝，在其表面涂复一层敏感膜，此膜用二(2—辛基苯基磷酸)钙组成，Mos管引出的探头接口处用硅橡胶密封。此电极测试性能稳定，灵敏度高，能专一的检测待测液中钙离子的活度。 | ||
| 申请公布号 | CN85201229U | 申请公布日期 | 1986.02.12 |
| 申请号 | CN85201229 | 申请日期 | 1985.04.01 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 付庭治;黄德培;朱春生 |
| 分类号 | G01N27/30 | 主分类号 | G01N27/30 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由MOS管，敏感膜、电极杆组装成。本发明的技术特点是敏感膜由二(2-辛基苯基磷酸)钙，四氢呋喃、PVC粉和邻苯二甲酸二丁酯制成。在MOS管栅极上引出铂丝，先将铂丝表面用乙醇和乙醚处理，然后在铂丝表面涂复敏感膜。MOS管与铂丝接口处用硅橡胶密封成为探头。 | ||
| 地址 | 江苏省南京市南京大学科研处 | ||