发明名称 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL
摘要 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 절연 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 게이트 절연막을 형성하는 단계, 제1 비정질 규소막, 제2 비정질 규소막, 제1 금속막 및 제2 금속막을 형성하는 단계, 제2 금속막 위에 제1 부분과 제1 부분보다 두께가 두꺼운 제2 부분을 가지는 감광막 패턴을 형성하는 단계, 감광막 패턴을 마스크로 하여 제2 금속막, 제1 금속막을 식각하여 제2 금속 패턴, 제1 금속 패턴을 형성하는 단계, 제1 금속 패턴에 SF기체 또는 SF와 He의 혼합 기체로 전처리 하는 단계, 감광막을 마스크로 제2 비정질 규소막 및 제1 비정질 규소막을 식각하여 비정질 규소 패턴 및 반도체를 형성하는 단계, 감광막 패턴의 제1 부분을 제거하는 단계, 제2 부분을 마스크로 상기 제2 금속 패턴을 습식 식각하여 데이터선 배선용 상부막을 형성하는 단계, 제2 부분을 마스크로 제1 금속 패턴 및 비정질 규소막을 식각하여 데이터 배선용 하부막 및 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계, 제2 부분을 제거한 후 데이터 배선용 상부막 위에 접촉구멍을 포함하는 보호막을 형성하는 단계, 보호막 위에 접촉 구멍을 통해서 데이터 배선용 상부막과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR101682078(B1) 申请公布日期 2016.12.05
申请号 KR20100074233 申请日期 2010.07.30
申请人 삼성디스플레이 주식회사 发明人 양동주;정유광;송진호;이기엽;최신일;김태우
分类号 H01L29/786;G02F1/136 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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