发明名称 微处理器系统之记忆管理
摘要
申请公布号 TW078962 申请公布日期 1986.07.16
申请号 TW074103498 申请日期 1985.08.07
申请人 英特公司 发明人
分类号 G06F12/00 主分类号 G06F12/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.在一个包括一微处理器与一资料记忆体之微处理器系统内,微处理器有一片段结构,用以将一虚构记忆位址翻译为一第二记忆位址,并用以控制基于属性之资料,一改进者包括下述各项:一个页快取记忆体与该微处理器合成整体,以接收该第二记忆位址之第一场,并将其与该页快取记忆体之内容加以比较,俾在某种情况下提供出第二场。该资料记忆体包括对页映像资料之存储,该第二记忆位址之第一场被耦合至该资料记忆体,当页快取记忆体之某些情况未达到时,将从页资料中选出第三场。该微处理器系统包括用以合并该第二与第三场之一与第一位址之间离场之一电路,俾为该资料记忆体提供实体位址。如此,该资料记忆体之实体可定址性予以改进。2.根据上述请求专利部份第1.项内所述之改进,其中,该页快取记忆体与对该页资料之储存包括记忆各页之属性资讯。3.根据上述请求专利部份第2.项内所述之改进,其中,对该页映像资料之储存含有至少一个页目录与至少一个页表。4.根据上述请求专利部份第3.项内所述之改进,其中,每一页目录与页表储存该记忆各页之属性。5.根据上述请求专利部份第4.项内所述之改进,其中,至少某些储存在该页目录与页表内之属性,系以逻辑合并并储存于该页快取记忆体内。6.根据上述请求专利部份第5.项内所述之改进,其中,该微处理器为该页目录基底。7.根据上述请求专利部份第6.项内所述之改进,其中,该第一场之第一部分提供成该页目录基底之指标至该页自录内之一个位置。8.根据上述请求专利部份第7.项内所述之改进,其中,该页目录之位置储存页表基底,而第一场之第二部分提供成该页表之指标至该资料记忆体内之页表位置。9.根据上述请求专利部分第8.项内所述之改进,其中,该页表内之位置为资料记忆体中之各页提供基底。10.根据上述请求专利部份第2.项所述之改进,其中,该页快取记忆体包括一内容可定址记忆体(CAM)与一页基底记忆体,CAM之输出从该页基底记忆体内,为该资料记忆体选择页基底。11.根据上述请求专利部份第10.项所述之改进,其中,该CAM储存资料记忆页之属性。12.根据上述请求专利部份第11.项所述之改进,其中,该CAM包括于比较时,用以选择性遮蔽至少一个属性之装置。13.对微处理器系统在记忆管理上之改进包含:一个微处理器,具有片段法结构俾将一虚构记忆位址翻译为一第二记忆位址,并测试资料记忆片段之属性。一个资料记忆体耦合至微处理器。该微处理器包括一个与该微处理器合成整体之页快取记忆体,俾接收该第二记忆位址之第一场,并将其与快取记忆体之内容加以比较,俾在某种情况下提供一第二场。该资料记忆体包括对页映像资料之储存,该第二记忆位址之第一场系耦合至该资料记忆体,俾于页快取记忆体之某些情况未达到时,从该页资料中选出第三场。该微处理器系统包括用以合并第二与第三场其中之一与第一位址之间离场之一电路,俾为该资料记忆体提供实体位址。如此,该资料记忆体之实体可定址性予以改进。14.根据上述请求专利部份第13.项所述之改进,其中,该片段法结构包括:与该微处理器合成整体之片段描述暂存器,用以提供片段基底。该资料记忆体包括被第一位址之片段场所存取之片段描述器表。15.根据上述请求专利部份第14.项所述之改进,其中,该快取记忆体与该页资料之存储包括记忆各页之属性资讯。16.根据上述请求专利部份第15.项所述之改进,其中,该页映像资料之储存包括一个页目录与一个页表。17.根据上述请求专利部份第16.项所述之改进,其中,每一页目录与页表,为记忆各页储存属性。18.根据上述请求专利部份第17.项所述之改进,其中,至少某些储存在页自录与页表内之属性,系经逻辑合并并储存于页快取记忆体内。19.形成一微处理器之一部分并与资料记忆体共同作业之位址翻译单元包括:片段描述暂存器,俾接收虚构位址并提供片段基底。该微处理器为资料记忆体提供位址,俾使资料记忆体内之片段描述器表可以定址;片段描述器表提供片段基址。该微处理器运用第二基底位址与虚构位址之一部分,以提供第二记忆位址。页快取记忆体,用以接收第二记忆位址之第一场,并将其与页快取记忆体之内容加以比较,俾于某种第二情况下提供第二场。该微处理器为资料记忆体内之页资料表提供第一场,若第二情况未达到时,提供第二场。第二场为资料记忆体提供页基底。如此,资料记忆体之实体可定址性予以改进。20.根据上述请求专利部份第19.项所述之单元,其中,片段描述暂存器储存片段资料属性,而页快取记忆体储存页资料属性。21.一内容可定址记忆体(CAM)包括:多个缓冲器,每一缓冲器接收第一信号并提供该第一信号与第二信号,该第二信号为第一信号之补数。多个大致平行之线对,每对耦合以接收第一与第二信号其中之一。多个记忆储存格,耦合于每对线之间,储存格系安排为各利大致与线对垂直。多个列比较器线,每一个与储存格各列相关连。多个比较器,每一个耦合于每个记忆储存格,其相关线对及比较器线之一之间。比较器是将储存在储存格内之二进位状况与第一与第二信号加以比较。载入装置系从线对载入资料至储存格。该比较器于其相关线对均保持在某种二进位状态时,却予停止作用。如此,藉使得至少某些缓冲器为第一与第二信号提供某种二进位状态,以选出之储存格之一可予略去比较。22.根据上述请求专利部分第21.项所述之CAM,其中,该列比较器线系预先充电者。23.根据上述请求专利部分第22.项所述之CAM包括含有多个段之储存记忆体,其中资料同时于所有之段内存取,从该段之一输出系经各列线选择。24.根据上述请求专利部分第23.项所述之CAM包括耦合至预定数自该列线之检测器,该检测器感测预定数目线中之某一线保持充电。25.根据上述请求专利部分第24.项所述之CAM,其中,对该段之输出之选择系由检测器完成。
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