| 摘要 |
第１中間層活性度算出部（５）が、第１中間層記憶部（２）に記憶されているインデックスを参照して、入力層活性度算出部（１）により算出された入力層の各ノードでの活性度と第１中間層記憶部（２）に記憶されている各エッジの重み及びバイアス値の中から、第１中間層の各ノードと接続関係がある入力層の各ノードでの活性度と各エッジの重みとバイアス値とを取得し、その取得した入力層の各ノードでの活性度と各エッジの重みとバイアス値とを用いて、第１中間層の各ノードでの活性度を算出する。これにより、推論を行う際の計算量及びメモリ量を削減することができる。また、より高い推論精度を得ることができる。 |
