发明名称 化学蒸汽沈积反应器及气体注射系统
摘要
申请公布号 TW082090 申请公布日期 1986.11.01
申请号 TW075100856 申请日期 1986.02.26
申请人 福克斯半导体系统公司 发明人
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种化学蒸汽沉积系统,用于在一基片之表面上产生一薄膜,上述系统包括:一大体为圆筒形之反应器室,有一底部、一与上述底部相对之表面、以及一圆筒形壁连接上述底部及与上述底部相对之上述表面;供保持上述基片在上述反应器室内之装置,俾使上述基片之上述表面系平行于上述圆筒形反应器室之上述底部;供注射一种或多种气体至上述反应器室内之装置,与上述底部相对之上述表面系予成适当外形,俾控制由上述一种或多种气体在上述基片之上述表面上所产生之上述薄膜之厚度剖面。2.根据上述请求专利部份第1.项之系统,其中上述圆筒形反应器室之上述底部有一大致为垂直之方向。3.根据上述请求专利部份第1.项之系统,其中供保持上述基片之上述装置包括一有一中央壁之平台。4.根据上述请求专利部份第3.项之系统,包括一环绕上述平台之排气孔。5.根据上述请求专利部份第1.项之系统,包括一环状排气孔,位于与上述底部相对之上述表面。6.根据上述请求专利部份第1.项之系统,另包括供使上述基片加热至一选定温度之装置。7.根据上述请求专利部份第1.项之系统,其中上述供注射之装置包括第一组之若干喷口供注射一第一气体。8.根据上述请求专利部份第7.项之系统,其中上述第一组若干喷口系分布于一第一环状区域周围。9.根据上述请求专利部份第7.项之系统,另包括供使上述第一气体向上述反应器室之上述圆筒形壁偏位之装置。10.根据上述请求专利部份第8.项之系统,其中该供注射之装置另包括一第二组之若干喷口,用以注射一第二气体。11.根据上述请求专利部份第10.项之装置,其中上述第二组若干喷口系分布于一第二环状区域周围。12.根据上述请求专利部份第10.项之系统,包括用以使上述第二气体向上述反应器室之上述圆筒形壁偏位之装置。13.根据上述请求专利部份第1.项之系统,另包括用以控制与上述底部相对之上述表面温度之装置。14.根据上述请求专利部份第1.项之系统,其中与上述底部相对之上述表面包括一直圆锥形区域。15.根据上述请求专利部份第1.项之系统,其中上述直圆锥形区域系指向上述底部。16.根据上述请求专利部份第14.项之系统,其中上述直圆锥形区域系背向上述底部。17.根据上述请求专利部份第14.项之系统,其中上述底部,对面之上述表面包括一环状区域用以抑制边缘效应。18.一种化学蒸气沉积系统,用于在一基片表面上产生一薄膜,上述系统包括:一反应器室具有一圆形第一内表面;一圆形第二内表面,与上述圆形第一内表面相对并隔开;以及一第三内表面,将上述圆形第一内表面之周边连接于上述圆形第二内表面之周边,俾构成上述反应器室;供保持上述基片在上述反应器室内之装置,俾使上述基片之上述表面系平行于上述第一圆形表面;供注射一种或多种气体进入上述反应器室之装置,上述圆形第二内表面系予作成适当外形,俾控制由上述一种或多种气体在上述基片之上述表面上所产生之上述薄膜之厚度剖面。19.根据上述请求专利部份第18.项之系统,其中上述反应器室之上述圆形第一内表面有一大致为垂直之方向。20.根据上述请求专利部份第18.项之系统,其中供保持上述基片之装置包括一有一中央孔之平台。21.根据上述请求专利部份第20.项之系统,包括一环绕上述平台之排气孔。22.根据上述请求专利部份第18.项之系统,包括一排气孔,位于上述圆形第二内表面之一环状区域。23.根据上述请求专利部份第18.项之系统,另包括供使上述基片加热至一选定温度之装置。24.根据上述请求专利部份第18.项之系统,其中该供注射之装置包括一第一组供注射一第一种气体之若干喷口。25.根据上述请求专利部份第24.项之系统,其中上述第一组若干喷口系分布于上述圆形第二内表面之一第一环状区域周围。26.根据上述请求专利部份第24.项之系统,另包括用以使上述第一种气体向上述反应器室之上述第三室内表面偏位之装置。27.根据上述请求专利部份第25.项之系统,其中该供注射之装置另包括一第二组供注射第二种气体进入上述反应器室之若干喷口。28.根据上述请求专利部份第27.项之系统,其中上述第二组若干喷口系分布于上述圆形第二内表面之一第二环状区域周围。29.根据上述请求专利部份第27.项之系统,包括用以使上述第二气体向上述反应器室之上述第三内表面偏位之装置。30.根据上述请求专利部份第18.项之系统,另包括用以控制上述圆形第二内表面温度之装置。 .31.根据上述请求专利部份第18.项之系统,其中上述圆形第二内表面包括一直圆锥形区域。32.根据上述请求专利部份第31.项之系统,其中上述直圆锥形区域系指向上述圆形第一内表面。33.根据上述请求专利部份第31.项之系统,其中上述直圆锥形区域系背向上述圆形第一内表面。34.根据上述请求专利部份第18.项之系统,其中上述圆形第二内表面包括一供抑制边缘效应之一环状区域。35.一种将一厚度受控制之薄膜沉积在一晶片上之装置包括:供将上述晶片保持在一选定位置之装置;以及供配置一区域之高度之装置,在此区城一种或多种气体通过上述晶片,俾控制由上述一种或多种气体所沉积之上述薄膜之上述厚度。36.根据上述请求专利部份第35.项之装置,另包括供使上述一种或多种气体通过上述晶片之装置。37.根据上述请求专利部份第36.项之装置,其中用以使气体通过之装置包括用以使上述一种或多种气体扩散之装置。38.根据上述请求专利部份第36.项之装置,其中用以使气体通过之装置包括用以使上述一种或多种气体流过上述晶片之装置。39.根据上述请求专利部份第38.项之装置,其中上述晶片有一圆形周边,并且上述使气流动之装置包括用以使上述一种或多种气体流过上述晶片之整个周边向上述晶片之中心流动之装置。40.根据上述请求专利部份第35.项之装置,其中该供配置高度之装置包括一表面位于与上述晶片相对之位置,上述表面系成适当形状以控制上述晶片与上述表面间之上述区域之上述高度。41.一种将一厚度受控制之薄膜沉积在一晶片上之方法包括:将上述晶片保持在一选定之位置;使一种或多种气体通过上述晶片,上述一种或多种气体便上述薄膜沉积于上述晶片上,上述之通过该晶片系在一区域内,此区域之高度系予以适当定形以控制上述薄膜之上述厚度。42.根据上述请求专利部份第41.项之方法,其中上述通过包括使上述一种或多种气体扩散越过上述晶片。43.根据上述请求专利部份第41.项之方法,其中上述通过包括使上述一种或多种气体流过上述晶片。44.根据上述请求专利部份第43.项之方法,其中上述流过包括上述一种或多种气体流过一圆形晶片之整个圆形周边流向上述圆形晶片之中心。
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