| 发明名称 |
INTEGRATED MOS TRANSISTOR CIRCUIT AND MAKING THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS6212170(A) |
申请公布日期 |
1987.01.21 |
| 申请号 |
JP19860151352 |
申请日期 |
1986.06.27 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
KONRAATO HIIBAA;FURANTSU NETSUPURU |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/3205;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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