发明名称 陶瓷电容器及其制造方法(三)
摘要
申请公布号 TW088211 申请公布日期 1987.06.16
申请号 TW075105404 申请日期 1986.11.14
申请人 太阳诱电股份有限公司 发明人 大殟稔;村井俊二;和田毅;岸弘志;褔井正见
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种陶瓷电容器,在由电介质陶瓷,与接触予上述陶瓷的至少二个电极所成陶瓷电容器中、其特征为上述陶瓷为由100重量份之基本成份与0.2~10.0重量份添加成份所成,而上述基本成份为:(SrO)k.(Zr1-xTix)O2(惟其中k及x系0.8≦k≦1.3,0≦x≦0.25之范围数値);上述添加成份为在表示Li2O与SiO2与MO (其中MO系氧化钡,氧化镁,氧化锌,氧化锶及氧化钙中之至少一种金属氧化物)之组成的三角图中。依序将上述Li2O为0莫尔%,上述SiO2为65莫尔%,上述MO为35莫尔%之点(A)。与上述LiO2为0莫尔%t上述SiO2为60莫尔%,上述MO为40莫尔%点(B),与上述Li2O为5莫尔%,上述SiO2为50莫尔%,上述MO为45莫尔%之点(C),与者上述Li2O为50莫尔%,上述SiO2为50莫尔%上述MO为0莫尔%之点(D),与上述Li2O为25莫尔%,上述SiO2为75莫尔%,上述MO为0莫尔%之点(E),相连结,为五条直线所包围之范围内者。2.如请求专利部份第1.项所记载之陶瓷电容器,其中上述电极系被埋设在上述陶瓷之中。3.如请求专利部份第1.项所记载之陶瓷电容器,其中上述电极系由贱金属所形成者。4.如请求专利部份第3.项所记载之陶瓷电容器,其中上述贱金属系镍。5.一种陶瓷电容器之制造方法,其特征为包含有:准备100重量份基本成份与0.2~10.0重量份之添加成份所成之混合物的工程,而该上述基本成份为(SrO)k.(Zr1-x)O2(惟其中k及x系0.8≦k≦1.3,0≦x≦0.25之范围数値);上述添加成份为在表示Li2O与SiO2与MO(其中MO系氧化钡、氧化镁、氧化锌、氧化锶及氧化钙中之至少一种金属氧化物)之组成的三角图中,依序将上述Li2O为莫尔%,上述SiO2为65莫尔%,上述MO为35莫尔%之点(A),与上述Li2O为0莫尔%,上述SiO2为60莫尔%,上述MO为40莫尔%之点(B),与上述Li2O为5莫尔%,上述SiO2为50莫尔%,上述MO为45莫尔%之点(C)与上述Li2O为50莫尔%,上述SiO2为50莫尔%,上述MO为0莫尔%之点(D),与上述Li2O为25莫尔%,上述SiO2为75莫尔%,上述MO为0莫尔%之点(E),相连结为五条直线所包围之范围内;与作成具有至少二个电极部份之上述混合物成形物的工程;与在非氧化性气氛中烧成具有上述电极部份之上述成形物的工程;以及在氧化性气氛下热处理上述烧成所得成形物之工程所成。6.如请求专利部份第5.项所记载之陶瓷电容器的制造方法,其中上述电极部份系将含有贱金属之导电性糊浆涂布于上述成形物以形成者。7.如请求专利部份第6.项所记载之陶瓷电容器之制造方法,其中上述贱金属系镍。8.如请求专利部份第5.项所记载之陶瓷电容器所制造方法,其中上述烧成系在1000℃~1200℃温度下加热具有上述电极部份之上述成形物。9.如请求专利部份第5.项所记载之陶瓷电容器的制造方法,其中上述热处理系在500~1000℃温度下加热上述烧成所得成形。
地址 日本