| 主权项 |
1.一种互补全氧半导体(C-MOS)记忆电路,其记忆格系按横行列安排,并可利用选择装置连接至一读出放大器,该放大器之输出驱动一只三态滙流道驱动器,一行记忆格所连椄至两数元鸶系经由正全氧半导体(P-MOS)拉上电晶体连接至电源线,并引至讯差放大器之一输入及一反相输入,其特点为:每一数元线经由一直流移位放大器引至讯差放大器之相关输入。2.根据上述请求专利部份第1.项之C-MOS半导体记忆电路,其特点为:该放大器包含两串联配置之负全氧半导体(N-MOS)电晶体,以及该放大器为射极随耦型(源极随耦型)。3.根据上述请求专利部份第2.项之C-MOS半导体记忆电路,其特点为:讯差放大器及源极随耦放大器均由被一选择信号所控制之电晶体所启动。4.根据上述请求专利部份第3.项之C-MOS半导体记忆电路,其特点为:该等随耦放大器之受控电晶体系连接至质量与讯差放大器输入之间,及数元线系连接至一电晶体之闸极,该电晶体连接在讯差放大器输入与供讯差放大器用之电源节点之间。5.一种C-MOS半导体记忆电路,其记忆格系按行列安排并藉选择装置连接至读出放大器,该放大器之一输出驱动含有C-MOS推挽输出级之三态资料滙流道驱动器,其特点为:该输出级P-MOS电晶体之闸极系连接至C-MOS反相「及」闸之输出,「及」闸之输入连接至读出放大器之输出,其另一输入接收一控制信号,此信号将推挽输出级两电晶体带至断流状态,推挽输出放大器之N-MOS电晶体之闸极系连接至反相「及」闸两N-MOS电晶体之排极及源极之接合点。6.根据上述请求专利部份第5.项之C-MOS半导体记忆电路,其特点为:读出放大器中之位准电晶体,接收反相「及」闸之同一控制信号。 |
