| 主权项 |
1﹒一种半导体装置,其具有一半导体层;以及提供半导体层之电极,其特征在于避免空隙(gap)之绝缘体,此空隙系存在于组成短路电流之半导体层中。2﹒如请求专利部份第1项之装置,其中,所述空隙系为一针孔。3﹒如请求专利部份第1项之装置,其中,所述绝缘体系为有机树脂。4﹒如请求专利部份第1项之装置,其中,该装置系为光电伏打装置(phorovoltaicdevice)。5﹒如请求专利部份第1项之装置,其中,该装置系为光发射装置(lightemittingdevice)。6﹒如请求专利部份第5﹒项之装置,其中,该装置具有规则点阵型结构(superlatticestructure)。7﹒半导体装置之制法,其包括:制备半导体层之方法;以光可固化树脂嵌填(stopping)半导体间隙(gap)之步骤;以正交(normal)于半导体层之光照射该半导体层之步骤;将位于前述间隙外之树脂移去,而保留在间隙内之残余物之步骤;以及在半导体层上制备电极的步骤。8﹒如请求专利部份第7﹒项之方法,其再包括一种将逆向电压施加于半导体层上之步骤。9﹒如请求专利部份第7﹒项之方法,其中,前述之施加步骤系在高压下进行。10﹒如请求专利部份第8﹒项之方法,其中,前述之逆向电压系少于半导体之断路电压(breakdown)。11﹒如请求专利部份第9﹒项之方法,其中,所述之温度系选用不高于使半导体层之特征劣化之温度。12﹒如请求专利部份第10﹒项之方法,其中,所述半导体装置包括许多相互依序连接的电池。13﹒如请求专利部份第11项之方法,其中,前述之施加步骤系以电压来源和互相依序连接的曾纳二极体进行,施加于每一电池的逆向电压系分别来自二极体。 |
