| 主权项 |
1.一种于半导体晶片上被覆多层薄膜材料之积体电路之制作方法,包括下列步骤:于半导体晶片表面被覆一材料层;于材料层上施布一光致抗蚀剂层;使光致抗蚀剂曝光以改变其特性;去除部份光致抗蚀剂而使该被去除部份之材料层裸露;去除该裸露部份之材料层;及以含有至少0.0lppm臭氧之净化水溶液清洗之。2.如请求专利部份第1项所述之制作方法,其中,在去除部份光致抗蚀剂及去除裸露之材料层之步骤之间,以含有至少0.01ppm臭氧之净化水溶液实施清洗之步骤。3.如请求专利部份第1项所述之制作方法,其中该净化水溶液之臭氧含量系介于0.02与0.09ppm之间。4.如请求专利部份第1项所述之制作方法,其中该材料层之厚度系介于20与400A之间。5.如请求专利部份第1项所述之制作方法,其中该材料层系由氮化矽所构成6.如请求专利部份第1项所述之制作方法,其中该材料层系氧化物厚层所构成。7.如请求专利部份第1项所述之制作方法,其中该半导体材料系矽,同时在去除裸露之材料层时,裸矽首先曝现,然后再以该含臭氧之净化水清洗之。8.如请求专利部份第1项所述之制作方法,在清洗处理步骤后尚包括下列步骤:于经过清洗处理之元件表面被覆第二材料层;于第二材料层上施布一光致抗蚀剂层;使光致抗蚀剂曝光以改变其特性;去除部份光致抗蚀剂而使该被去除部份之第二材料层裸露;去除该裸露部份之第二材料层;以含有至少0.01ppm臭氧之净化水溶液清洗之。9.一种于矽晶片上被覆多层薄膜材料之积体电路之制作力法,包括下列步骤:于矽晶片表面被覆一材料层;于材料层上施布一光致抗蚀剂层;使光致抗蚀剂曝光以改变其特性;去除部份光致抗蚀剂而使该被去除部份之材料层裸露;以臭氧含量介于0.02与0.09ppm之间之净化水溶液清洗之;再去除该裸露部份之材料层,使裸矽裸露;再以臭氧含量介于0.02与0.09ppm之间之净化水溶液清洗裸矽。10.如请求专利部份第9项所述之制作方法,在清洗裸矽步骤后尚包括下列步骤:于离过清洗处理之元件表面被覆第二材料层;于第二材料层上施布一光致抗蚀剂层;使光致抗蚀剂曝光以改变其特性;去除部份光致抗蚀剂而使该被去除部份之第二材料层裸露;去除该裸露部份之第二材料层;及以臭氧含量介于0.02与0.09ppm之间之净化水溶液清洗之。11.一种于半导体晶片上被覆多层薄膜材料之杠体电路之制作方法,包括下列步骤:于半导体晶片表面被覆敷数层材科;在每被覆一层材料前先去除部份原有之材料;在每被覆一层材料与去除部份原有材料之步骤之间,以含有至少0.01ppm臭氧之净化水溶液实施清洗之调适处理步骤。12.如请求专利部份第11.项所述之制作方法,其中该净化水溶液之臭氧含量系介于0.02与0.09ppm之间。 |
