| 主权项 |
1.将含矽氮之涂层生成于一种电子装置上之方法,此种方法包括将电子装置涂上一层陶瓷或准陶瓷涂膜,其方法为将一种含矽及氮之 (陶瓷前) 聚体在溶剂中稀释;将子装置涂上该种 (陶瓷前) 聚体溶液;乾燥此种 (陶瓷前) 聚体溶液,俾使溶剂蒸发,因而,将一层 (陶瓷前) 涂膜淀绩于电子装置上,以及将涂过之装置在无空气下加热,以生成陶瓷或准陶瓷涂层之电子装置。2.将一层含矽涂膜主成于涂有一层含陶瓷或准陶瓷矽氮涂膜之电子装置上之方法,此种方法包括:(A)将电子装置涂上一层陶瓷或准陶瓷涂膜,其方法为将一种含矽及氮之 (陶瓷前) 聚体在溶剂中稀释;将电子装置涂上该种 (陶瓷前) 聚体溶液;乾燥此种(陶瓷前) 聚体溶液,俾使溶剂蒸发,因而,将一层 (陶瓷前) 涂膜淀积于电子装置上;将涂过之装置在无空气下加热,以主成陶瓷或准;陶瓷涂层;以及(B)将一层含矽涂层加至涂有陶瓷或准陶瓷膜之装置,其方法为在一反应室中,将气相之甲矽烷,聚甲矽烷,卤化甲矽烷,卤化乙矽烷,聚卤化甲烷或其混合物,于陶瓷或准陶瓷涂膜电子装置存在下,予以分解,因而,获得于其上具有一层含矽涂膜之含矽氮陶瓷或准陶瓷涂膜之电子装置。3.将一层含矽氮涂膜生成于涂有一层陶瓷或准陶瓷含矽氮涂膜之电子装置上之方法,此种方法包括:(A)将一种电子装置涂上一层陶瓷或准陶瓷涂膜,其方法为将一种含矽及氮之 (陶瓷前) 聚能在溶剂中稀释;将电子装置涂上该种 (陶瓷前) 聚体溶液;乾燥此种 (陶瓷前) 聚体溶液,俾使溶剂蒸发,因而,将一层 (陶瓷前) 涂膜淀绩于将置上;将此种涂过之装置在无空气下加热,俾于其上生成陶瓷或准陶瓷涂层;以及(B)将一层含矽氮涂膜加至涂有陶瓷或准陶瓷膜之装置,其方法为在反应室中,将气相之甲矽烷,据甲矽烷,卤化甲矽烷,卤化乙矽烷。紧卤化甲矽烷或其混合物及氨气,在摄氏二00度与四00度间之温度下,予以分解,因而,获得于其上具有一层含矽氮涂膜之含矽氮陶瓷或准陶瓷涂膜之电子装置。4.将一层含矽氮涂膜生成于涂有一层陶瓷或准陶瓷含矽氨涂膜之电子装置上之方法,此种方法包活:(A)将一种电子装置涂上一层陶瓷或准陶瓷涂膜,其方法为将一种含矽及氮之 (陶瓷前) 紧体在溶剂中稀释;将电子装置涂上该种 (陶瓷前) 紧体溶液;乾燥 (陶瓷前) 聚体溶液,俾使溶剂蒸发,因而,将一层 (陶瓷前) 涂膜淀积于电子装置上;将此种涂过之装置在无空气下加热,以便在其上生成陶瓷或准陶瓷涂膜以及(B)将一层合矽氮涂膜加至涂有陶瓷或准陶瓷膜之装置,其方法为在一反应室中,将气相之甲矽烷,聚甲矽烷,卤化甲矽烷,卤化乙矽烷,聚卤化甲矽烷或其混合物反氨气,以及选自包括一至六个碳原子之烷属烃,烷基甲矽烷,及烷基卤化甲矽烷基团之材料,在陶瓷或准陶瓷涂膜装置存在下,予以分解,因而,获得在其上具有一层合矽碳涂膜之一合矽氮陶瓷或准陶瓷涂膜之电子装置。5.根据上述申请专利范围第1项之方法制得之一种涂层。6.根掳上述申请专利范围第2项之方法制得之一种涂层。7.根据上述申请专利范围第3项之方法制得之一种涂层。8.根据上述申请专利范围第4项之方法制得之一种涂层。 |
