MOS-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19870231622-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	MOS-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPS6473674(A)	申请公布日期	1989.03.17
申请号	JP19870231622	申请日期	1987.09.14
申请人	NEC CORP	发明人	OGAWA YOSHITO
分类号	H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
地址

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