| 发明名称 | 铌三锡高场导体的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明是铌管富锡法制备Nb<SUB>3</SUB>Sn高场导体方法的改进，属于超导导体的加工工艺，本发明通过同时将第三元素Ti和第四元素Mg加入到Nb材和母材中，明显改善了Nb<SUB>3</SUB>Sn导体在0-20特拉斯整个实用磁场范围的载流能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1034088A | 申请公布日期 | 1989.07.19 |
| 申请号 | CN88105619.7 | 申请日期 | 1988.12.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明人 | 何牧 |
| 分类号 | H01B12/00 | 主分类号 | H01B12/00 |
| 代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 季良赳 |
| 主权项 | 1、本发明是铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进，属于超导导体的加工工艺，本发明的特征在于将Ti和Mg作为第三和第四元素同时加入到母材和铌材中。 | ||
| 地址 | 上海市长宁区长宁路865号 | ||