发明名称 | 以氮化物作烧结助剂的氮化硅基陶瓷 | ||
摘要 | 本发明涉及一类Si<SUB>3</SUB>N陶瓷,采用氮化物ALN-ZrN添加剂作为Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>的烧结助剂,克服了采用氧化物添加剂作烧结助剂所产生的玻璃相和BeSiN<SUB>2</SUB>添加剂作烧结助剂所产生的毒性;有效地提高了常温,高温力学性能和抗氧化性,适合于作高温结构陶瓷。本发明制得的氮化硅基陶瓷主要力学性能为:σb,25℃=609-917MPa;Kic=5.3-7.5MPa;HRA=93-94;σb,1250℃=(65-90%)σb,25℃;σb,1400℃=(52-71%)σb,25℃,氧化速率常数K=2.3×10<SUP>-11</SUP>-1.09×10<SUP>-9</SUP>kg<SUP>2</SUP>/m<SUP>4</SUP>·sec。其性能随添加剂ALN-ZrN中ALN含量的不同变化。 | ||
申请公布号 | CN1033986A | 申请公布日期 | 1989.07.19 |
申请号 | CN87101293.6 | 申请日期 | 1987.12.30 |
申请人 | 北京钢铁学院 | 发明人 | 葛昌纯;夏元洛;陈利民 |
分类号 | C04B35/58 | 主分类号 | C04B35/58 |
代理机构 | 北京钢铁学院专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
主权项 | 1、一种氮化硅基陶瓷,其特征在于采用AIN-ZrN添加剂作为烧结助剂,该添加剂加入量为5-50m%(克分子百分数)。 | ||
地址 | 北京市学院路30号 |