| 主权项 |
l.用以制造多个半导体装置之方法,该方法包括步骤:安装一半导体晶片于基体上;分割安装之半导体晶片为多个晶方,俾各晶方间有间隙; 及以可黏合于晶方上之物质填于各晶方间之隙中。2.如申请专利范围第1 项所述之方法,另包含其次步骤: 使基体与晶方及黏合于晶方上之物质分离。3.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中,该安装步骤包含由一中间黏合剂层黏合晶片于基体上之步骤。4.如申请专利范围第3 项所述二方法,其中,该分割步骤包括步骤: 切制多个槽于晶片中,各槽延伸整个穿过晶片及至少部份穿过黏合剂层。5.如申请专利范围第4 项所述之方法,现在,该切割步骤包括由刀片均割该等槽之步骤,且其中,各槽具有斜面。6.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中,该分割步骤包括以化学品蚀刻斜面槽于晶片中之步骤。7.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中,填于各晶方间之间隙中之物质包含一矽酮树脂,该树脂纯化晶方之边缘。8.如申请专利范围第7 项所述之方法,其中,该矽酮固化后具可挠性。9.如申请专利范围第8 项所述之方法,另包括在潮湿环境中固化矽酮树脂之步骤。10. 如申请专利范围第9 项所述二方法,其中,该树脂在具有20 -50 %相对湿度之环境中固化。11. 如申请专利范围第8 项所述之方法,其中,该矽酮树脂之调配在可忍受到至少3-5O'C之加热而不丧失某与晶方之黏合。12. 如申请专利范围第11项所述之方法,其中,该矽酮树脂包含氧化铁及醋酸矽烷。13. 如申请专利范围第2 项所述之方法,另包括步骤: 在安装晶片于基体上之步骤前,镀制电极于晶片之相反面上; 且其中,分割步骤包括步骤: 分割镀制之电极为各电极部份,各电极部份覆盖于晶方之相反面上。14. 如申请专利范围第13项所述之方法,其中,该填塞各晶方间之间隙之步骤并包括步骤: 以该物质覆盖晶方上之暴露之电极部份之至少一部份。15. 如申请专利范围第14项所述之方法,其中,使用涂刷滚筒施敷该物质于暴露之电极部份上及晶方间之间隙中,滚筒扫刷该物质种过分割之半导体晶片。16. 如申请专利范围第15项所述之方法,其中,该黏合物质包含矽酮树脂。17. 如申请专利范围第16项所述之方法,另包括步骤: 由机械磨擦操作除去电极部份上之矽酮树脂。18. 如申请专利范围第17项所述之方法,其中,该除去步骤包括步骤: 由橡皮擦擦去电极部份上之矽酮树脂。19. 如申请专利范围第1 项所述之方法,另包括由矽制造该晶片之步骤。20. 如申请专利范围第3 项所述之方法,其中,该黏合剂包含蜡,且另包括步骤: 由加热熔化该蜡而使基体与晶片及黏合于晶方上之物质分离,然后由化学品溶解掉该熔化步骤后残留之任何蜡。21. 如申请专利范围第20项所述之方法,其中,使用三氯乙烯以化学溶解残留之蜡。22. 如申请专利范围第2 项所述之方法,另包括步骤: 在安装晶片于基体上之步骤前,构设电极于晶片之相反面上,及其后在己执行安装,分割,填塞,及分离等步骤后,施敷焊料于电极上。23. 如申请专利范围第22项所述之方法,其中,在分离步骤后,由浸晶片及黏合物质于焊料池中而施敷焊料于其上。24. 如申请专利范围第23项所述之方法,其中,该黏合物质包含矽酮树脂。25. 如申请专利范围第24项所述之方法,其中,该矽酮树脂为可忍受由焊料池加热至至少350'C之温度而不丧失其与晶方之黏合之类。26. 如申请专利范围第22项所述之方法,另包括步骤: 使各晶方相分离,同时保留一层黏合物质于晶方之边缘上。27. 如申请专利范围第25项所述之方法,其中,该黏合物质包含矽酮树脂。28.如申请专利范围第2 项所述之方法,另包括其次步骤: 使各晶方相互分离,同时保留一层黏合物质于晶片之边缘上。29. 如申请专利范围第28项所述之方法,其中,该项使各晶方相分离之步骤包括步骤: 由机械方法切撕晶方间之黏合物贸。30. 如申请专利范围第28项所述之方法,其中,该项使各晶方相分离之步骤包括步骤由雷射光束切断晶方间之黏合物质。31.如申请专利范围第1 项所述之方法,另包括步骤: 扩散杂质于晶片中,以制成p一n层。32. 如申请专利范围第l 项所述之方法,另包括步骤: 在填塞晶方间之间隙之步骤前,以酸液蚀刻各晶方之边缘。33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中,该酸液为氢氟酸一硝酸一磷酸混合物34. 如申请专利范围第32项所述之方法,其中,该安装步骤包括步骤: 由一中间蜡层黏合晶片于基体上,及该蜡为可抵抗蚀刻步骤中所用之酸,且并不浸蚀黏合于晶方上之物质之类。35. 如申请专利范围第34项所述之方法,其中,黏合于晶方上之物质为矽酮树脂、及该蜡为可溶解于三氯乙烯中之类。36. 如申请专利范围第3 项所述之方法,其中,该黏合剂包含蜡,且另包括步骤: 由化学品溶解该蜡层而使基体与晶方及黏合于晶方上之物质分离。37. 如申请专利范围第36项所述之方法,其中,该蜡层由三氯乙烯以化学方法溶解。38. 用以制造多个半导体装置之可挠性晶片,包含:多个半导体晶方,各晶方相分开,并排列成单层; 及可挠性树脂,适于将晶方相黏合成该层,该树脂填于各晶方间之间隙中。39. 如申请专利范围第38项所述之可挠性晶片,其中,该层晶方及该黏合树脂构成一分离之整体单位。40. 如申请专利范围第39项所述之可挠性晶片,其中,该树脂包含矽酮,该矽酮钝化晶方之边缘。41. 如申请专利范围第40项所述之可挠性晶片,其中,该矽酮树脂为能忍受加热至至少350'C 而不丧失其与晶方黏合之类。42. 如申请专利范围第41项所述之可挠性晶片,其中,该矽酮树包含氧化铁及醋酸矽烷。43. 如申请专利范围第42项所述之可挠性晶片,其中,该矽酮树脂由暴露于室温上之潮湿环境中而加以固化。44. 如申请专利范围第40项所述之可挠性晶片,另包含在晶方之相反面上之电极。45. 如申请专利范围第44项所述之可挠性晶片,其中,电极为金。46. 如申请专利范围第44项所述之可挠性晶片,另包含在电极上之焊料。47. 用以制造多个半导体装置之方法,该方法包括步骤:施设电极于半导体晶片之二面上;由一中间蜡层安装半导体晶片于一基体上,该蜡层黏合于基体及晶片;由构制槽而分割安装之晶片为多个晶方,各槽延伸穿过晶片;以树脂填于槽中,树脂黏合于晶方之边缘上;固化该树脂;除去已固化之树脂及晶方上之蜡,从而晶方及固化之树脂形成与基能分离之一独立单位; 及分割该独立单位为单胞,每一单胞包含一晶方。48. 如申请专利范围第47项所述之方法,其中,除去蜡之步骤包括以化学品溶解该蜡之步骤。49. 如申请专利范围第47项所述之方法,其中,分割独立单位为单胞之步骤包括步骤: 使各晶方相分开,同时保留一层固化之树脂于晶方边缘周围,以钝化晶方边缘。50. 如申请专利范围第47项所述之方法,另包括步骤: 在除在步骤之后,但在分离步骤之前,施敷热液态焊料于晶方及固化之树脂单位上。51. 如申请专利范围第47项所述之方法,包括另外步骤:在填塞步骤之前蚀刻该等槽,以使其平滑。52. 如申请专利范围第47项所述之方法,其中,该树脂固化后具可挠性。图示简单说明:第1 图为含有镀制之电极之矽晶片之晶片结构之透视图,该结构在本发明之具体方法中用以制造多个半导体装置。第2 图为装于破璃基体上之第1 图之结构之透视图。第3 图为沿第2 图之平面3一3上所取之部份断面图。第4 图为晶片经刻槽以界定个别晶粒后之第2 图之结构之透视图。第5 图为沿第4 图之平面5一5上所取之晶粒及基体结构之部份断面图。第6 图为在分隔晶粒之槽填以矽酮树脂后如第5 图中之晶粒及基能结构之部份断面图。第7 图为在涂于矽晶粒之上面上之矽酮树脂已除去后之第6 图之晶粒及基体结构之断面图。第8 图为在基体移去后之第7 图之晶粒结构之透视图。第9 图为沿第8 图之平面9一9上所取之晶粒结构之部份断面图。第10图为在涂于晶粒之底面上之残余蜡层移去后如第9 图中之晶粒结构之断面图。第11图为在焊料已施敷于矽晶粒之电极部份上后如第10图中之晶粒结构之断面图。第12图为在各个别晶粒已相分离后如第11图中之结构之断面图。 |
