| 摘要 |
본 발명은, 다른 막의 성막 프로세스를 반복하여 행하여도, 양호한 스루풋을 유지, 또는 향상시키는 것이 가능한 적층 반도체막의 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 피처리체의 하지의 상방에, 제1, 제2 반도체막을 교대로 적층한 적층 반도체막을 성막하는 적층 반도체막의 성막 방법으로서, 제1 반도체막을 성막하는 공정(스텝 S3)과, 제2 반도체막을 성막하는 공정(스텝 S5)을 소정수의 적층막이 얻어질 때까지 행함과 함께, 스텝 S3의 공정에서의 성막 온도와 스텝 S5의 공정에서의 성막 온도를 동일하게 하여, 스텝 S3과 스텝 S5의 상호간에서 온도를 일정하게 한다. |
