发明名称 利用乳酸乙酯及甲乙酮之特殊混合物以从经光阻涂覆之基质移除不欲之周边物质(如边缘珠粒)
摘要 一种从光阻基质边缘区域除去不欲光阻材料的方法,包括下列步骤”(a)将光阻溶液旋转涂布于基质表面,而藉以涂上光阻剂涂层;此涂层除了在该基质表面边缘区沉积不欲之光阻材料外,尚包括覆盖在几乎该基质全部表面之均匀薄膜;(b)使涂覆基质之该边缘区与由乳酸乙酯与甲乙酮体积比分别约 65:35 至约 25:75 所组成之足量溶剂混合物接触,以选择性溶解该不欲之沉积物,而不致不利地影响该均匀薄膜;(c)将该溶解况积物与该涂覆基质分离。
申请公布号 TW128756 申请公布日期 1990.02.11
申请号 TW078100884 申请日期 1989.02.04
申请人 OCG微电子材料公司 发明人 马文.李.勒夫二世;马克.艾利特.托那;汤玛斯.爱德华.沙米
分类号 B05D5/06 主分类号 B05D5/06
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种从光阻基质周边区域去除不欲光阻材料之方法,包括下列步骤:(a)将光阻溶液旋转涂布于基质表面,藉以涂覆一层光阻剂涂层;(此涂层包含覆盖)于几乎该基质所有表面之均匀转膜,还有沈积在该表面周边处之不欲光阻材料;(b)让该涂覆基质之周边区域与与足够量之溶剂混合物体积比分别是约65:35至约25:75之乳酸乙酯与甲乙酮的混合物接触以选择性地溶解该不欲沈积物而不会对该均匀膜有不良影响。(c)将该溶解沈积物与该涂覆基质分离。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该基质是氧化矽/矽圆片。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该光阻剂溶液包含括酚醛树脂与 二氮化物光敏剂溶于溶剂之溶液。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该酸乙酯与甲乙酮体积比分别为从约60:40至约40:60。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该体积比为50:50。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该溶剂接触步骤(b)之进行系藉由喷嘴将该溶剂混合物至该基质周边之背面并使该溶剂混合物移往该基质之周边边缘。7.根据申请专利范围第3项之方法,其中该酚醛树脂为混合异构物甲酚/甲醛酚醛树脂。
地址 美国