| 主权项 |
1.一种制造半导体制置之方法,其中其步骤为:制备由一种液种封包捷可拉斯基法制成之一片巫一V族化合物半导体单结晶性基体,将传莓性杂质离子植入该单结晶性半导体基内,以及退火;其特征为:前述单结蝨性导体基体内具有1公106cm-2或更少的的碳浓度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该mb-Vb族化合物半导体系选自由系选自由GaAS、Gal公In公As(U 0[]1豆x豆[] 0!)、Inp与类似物组成之组覃。3.如申请专利范围第1所述之方法,其中该基体之电阻率为1公1〞至1欠1汐n.cm。4.一种以制造半导体制置之方法,其中其步骤为:制备一种液体封包捷可拉斯基法制成之一斑b-Vb族化合物单结晶性半瓒觼基体,将传导性杂质离子植入该单结晶性半导体基内,退火以及冷却;其特征为:前述单结晶性导觼基觼具有1公 1[沙cm-3或更少的碳浓度,退火系在约800-000b之温度及经约2-15分钟下完成,以及冷却系在[}.20〞 scc~9[]b/scc之冷却速率下冷却至6[][jb或更低。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该m-V族合物半导体系选自由GaAs、Ga1一公1 n又As 山001 豆x互0.01)、1np与类似物组成之组覃。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该基体之电阻率为1欠1(j至1汽1[,i.cm。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该经退火之基体的电阻率为1文107n.cm或更大。8.一种由半导体装置制造方法制成半导体装置,其中该方法之步骤为:制备由一种液体封包捷可拉斯基法制成之一片四b一Vb族化合物单结晶半导体基体,将传导性杂赁子植入该单结晶性半导体基内,以及退火;其特征为:前述单结晶性半导体内具有1欠1沙cm-3或更少的碳浓度。 |
