| 摘要 |
동작 특성이 뛰어나고 저온에서 제작할 수 있는 산화물 반도체를 사용한 표시 장치의 특성을 발휘하기 위해서는, 적절한 구성을 구비하고 점유(占有) 면적이 작은 보호 회로 등이 필요하다. 게이트 전극(111)을 피복하는 게이트 절연층(102)과, 게이트 절연층(102) 위에 있어서 게이트 전극(111)과 중첩하는 제 1 산화물 반도체층(113)과, 제 1 산화물 반도체층(113) 위에 있어서, 게이트 전극과 단부가 중첩하고, 도전층과 제 2 산화물 반도체층이 적층된 제 1 배선층(117a) 및 제 2 배선층(117b)을 갖는 비선형(非線形) 소자(170a)를 사용하여 보호 회로를 구성한다. 비선형 소자의 게이트 전극을 주사선 또는 신호선과 접속하고, 게이트 전극의 전위를 인가하기 위한 비선형 소자의 제 1 배선층 또는 제 2 배선층과 게이트 전극층의 접속을 직접 접속시킴으로써, 접속 저항의 저감에 의한 안정 동작과 접속 부분의 점유 면적의 축소를 도모한다. |
