发明名称 Method of forming a photoresist pattern
摘要 본 발명은 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상시켜 예비 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 예비 패턴의 표면을 코팅 폴리머를 포함하는 처리제로 표면 처리하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 이용하면 LWR이 현저하게 개선되는 효과가 있다.
申请公布号 KR101675066(B1) 申请公布日期 2016.11.11
申请号 KR20100041433 申请日期 2010.05.03
申请人 삼성전자 주식회사 发明人 마야 수브라만야;야스에 타카히로;오석환;강율
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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