| 主权项 |
1﹒一种具有分布反射之可调半导体二极体雷射,包含一半导体本体,其中在第一钝性层上出现第一辐射一传导层,及其中有一带状谐振腔形成于与各该层大致成垂层延伸之两个表面间,其中与该谐振腔并列者为具有第一电流供应之第一部分,及有一相干的具p─n连接面之活性区,该连接面在向前方向中有足够高之电流强度产生连结的电磁辐射,其活性区位于辐射一传导层之层大侧面形状;一个第二部分具有第二电流供应,藉此在上述部分出现之该辐射一传导层一部份之折射率予改变,以及一种第三部分,具有第三电流供应,其中,在该部分内之谐振腔部分含有在纵向上之折射率之定期变化;其特征为该半导体二极体雷射含有装置,使用此装置可使可一部分所产生之辐射相对强度,而该辐射相对强度为在第一部分与第二部分间相接面所反射者较自第二部分返回该相接面之辐射强度为小。2﹒根据申请专利范围第1项所述之可调半导体二极体雷射,其中该装置包含一第二辐射一传导层,该层系在第一部分之至少一侧与活性区同一水平并邻接,其厚度大致与活性区相同。3﹒根据申请专利范围第2项所述之可调半导体二极体雷射,该雷射中有一抗回熔层存在于活性区之上方者,其中该装置包含一种第二辐射一传导层,该层出现于活性区地带之第一部分之至少一侧,并连接该活性区,其厚度大致等于活性区厚度及抗回熔层厚度之和。4﹒根据申请专利范围第2项所述之可调半导体二极体雷射,其中,该第二辐射一传导层及活性区系以第二活性层与第一辐射一传导层所隔开。5﹒根据申请专利范围第1,2,3或4项所述之可调半导体二极体雷射,其中,第一,第二及第三部分系以上列顺序出现在与谐振腔交界之表面间。6﹒根据申请专利范围第1,2,3或4项所述之可调半导体二极体雷射,其中,该第一部分出现在至少大致上为谐振腔之中心,而第二及第三部分系位于第一部分之各一侧。7﹒根据申请专利范围第1,2,3或4项所述之可调半导体二极体雷射,其中,该第一部分出现在至少大致上为谐振腔之中心,而第二及第三部分则出现第一部分之各一侧,及该装置含有设于第二部分一侧之高反射涂层,该涂层与诸表面之一相符合,而该表面为谐振腔所在。8﹒根据申请专利范围第1,2,3或4项所述之可调半导体二极体雷射,其中,该第一部分系BH(埋入异结构)型。9﹒根据申请专利范围第1,2,3或4项所述之可调半导体二极体雷射,其中,该第一部分系DCPeH(双波道平面埋入异结构)型。10﹒一种制造可调半导体二极体雷射之方法,其中在一半导体基层上逐次设以第一辐射一传导层及一第一钝性在一半导体基层上逐次设以第一辐射一传导层及一第一钝性层,第一钝性层具有位于该辐射一传导层之增大侧面内之厚度,其中,在该增大侧面内,有局部地折射率之定期改变,改变后,设置一活性层及第二钝性层,该两层用蚀刻方法局部移除并使其在待形成之第一部分之外,第一钝性层用为蚀刻终止器,其中并设置另一钝性层于第一部分之外,其特征为在位于第一部分以外之一区域中,有第二辐射传导层圆滑地连接位于第一部分之内的活性层,其具有之厚度大致与设置于第一层与另一钝性层的活性层厚度相同。图示简单说明图1以图解方式显示根据本发明之具有分布反射之半导体二极体雷射之第一具体实例,部分为透视图及部分为剖面图。图2为自图1之线Ⅱ-Ⅱ上所取之半导体二极体雷射之图解剖面图。图3显示组成各模式之所测得之及作为流经图1中半导体二极体雷射之第二部分(Ia)及第三部份(Ic)之电流之函数之有关放射波长。图4显示组成各模式之所测得之雷射振荡及作为流经以往技艺半导体二极体雷射之第二部分(IB)及第三部分(IC)之电流之函数之有关放射波长。图5至图9显示根据本发明之半导体二极体雷射,及第一具体实例在连续制造之各阶段,其中图5,6及7为取自图1中线Ⅱ-Ⅱ之剖面图,图8及9则为取自图1中线VⅢ-VⅢ之剖面图。图10为取自图1之线Ⅱ-Ⅱ之本发明具有分布反射之第二具体实例之图解剖面图。图11显示在联同放射波长量得的组合成各种模式之雷射振荡作为通过图10之半导体二极体雷射之第二(IB)及第三部分(IC)部分之电流函数。 |
