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1.一种制备预渍体的方法,包括将含有双环戊二烯之多环聚烯与有两个(或更多)氢原子耜矽键结的环状聚矽氧烷反应;此反应会产生一种预聚合物,此预聚合物含有一种多环聚烯残徨和一种以碳一矽键联结的环状聚矽氧烷残渣,用此预聚合物浸渍一种纤维强化材料,并且将此被浸渍的材料加热以使预聚合物热化;其特征为:在环状聚矽氧烷中有三个(或更多)氢原子和矽键结,而此聚烯和聚矽氧烷系与一种链延展剂一超反应,此种链延展剂含有至少一种的聚烯类,而此种聚烯则含有至少两个在矽氢化反应时真高活泼性之非芳香族、非共轭碳碳双键,此碳碳双键可在:(b)线性碳链部份的、或y的位置上(2)在受力的多环脂肪族的环结构中与两个桥头巾R1dgehea巾相邻的位置,或是(3)在环丁烯的环上;此反应将持续到此预聚合物在100℃的温度下有900到8000题泊的黏度为止,并且在环状聚矽氧烷中有65%到76%有效的盘slh基反应掉。2.如申请专利范围第1项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为其反应是在一种经类溶剂中进行,而此种经类溶剂将在加盘热阶段中蒸发掉。3.如申请专利范围第2项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为此种经类溶剂可为己烷、庚烷、辛烷、戊烷、甲苯、丁嗣或是二甲苯。4.如申请专利范围第2项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为其此种经类溶剂含有10%到20%wt的预聚合物溶液。5.如申请专利范围第1项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为其链延展剂的分子量小于1000。6.如申请专利范围第5项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为其链延展剂的分子量小于500。7.如申请专利范围第5项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为其链延展剂是一种二丙烯基、二乙烯基或是双原冰片烯基的化合物。8.如申请专利范围第5项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为其链延展剂可以是5-乙烯基-2-原冰廾烯、5-亚乙基-2-原冰廾烯或是三环戊二烯的对称异构物。9.如申请专利范围第1项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为聚烯(a)和链延展剂(a)各自有两个碳碳双键,并且两者在矽氢化反应中皆具活泼性,并且聚烯(a)、聚矽氧烷(b)初链延展剂(c)的各自使用比例如下:10.如申请专利范围第9项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为:聚烯(a)为双环戊二烯而链延展剂(a)为5-乙烯基-2原冰片烯。11.如申请专利范围第9项制备一种预渍体之制法,更,进一步的特征为聚烯(a)和链延展剂(a)中的双铿相对于聚矽氧烷(b)中的键的比例的大于11:1。12.如申请专利范围第10项中制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为聚烯(a)和链延展剂(a)中的双键相对于聚矽氧烷(b)中的slh键的比例介于11:1到12:1的范围之内。13.如申请专利范围第9项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为聚烯(a)含有双环戊二烯和三环戊二烯的非对称异构物之混合物,聚矽氧烷(b)为甲基氢化环状矽氧烷的混合物而链延展剂(c)则为三环戊二烯的对称异构物。14.如申请专利范围第12项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为聚烯(a)和链延羼剂(c)中的双键相对于聚矽氧烷(b)中的sih键的比例介于0.8:1到12:1的范围之内。15.如申请专利范围第12或18项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为三环戊二烯的使用比例约为预聚合物重量的15一35%wt,且碳碳双铿相对于sih键的比例约为1:1。16.如申请专利范围第1项制备一种预渍体之制法,更进一步的特征为所制得之预渍体系用于处理一锺层压板,而此层压板被覆以导电性材料以形成印刷电路板。 |
